| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 本课题的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 本课题的研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 缓冲层技术 | 第11-15页 |
| 1.2.2 图形化衬底技术 | 第15页 |
| 1.4 本课题的研究意义及研究内容 | 第15-18页 |
| 第二章 GaN 材料的生长设备和检测设备 | 第18-30页 |
| 2.1 GaN 材料的生长设备 | 第18-24页 |
| 2.1.1 MOCVD 设备系统简介 | 第18-20页 |
| 2.1.2 金属有机物化学气相沉积 | 第20-21页 |
| 2.1.3 法布里-珀罗激光干涉仪 | 第21-24页 |
| 2.2 光致发光光谱 | 第24-26页 |
| 2.2.1 PL 测试原理及应用 | 第24-25页 |
| 2.2.2 PL 测量数据表征 | 第25-26页 |
| 2.3 X 射线衍射 | 第26-29页 |
| 2.3.1 XRD 测试原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 XRD 测试数据表征 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 不同时间高温预生长实验研究 | 第30-37页 |
| 3.1 GaN 薄膜的外延结构 | 第30页 |
| 3.2 底层 GaN 的生长性质研究 | 第30-32页 |
| 3.2.1 高温预烘烤处理 | 第31页 |
| 3.2.2 氮化过程处理 | 第31页 |
| 3.2.3 缓冲层的生长 | 第31页 |
| 3.2.4 高温 GaN 的生长 | 第31-32页 |
| 3.3 高温预生长提高 GaN 薄膜晶体质量 | 第32-36页 |
| 3.3.1 实验样品的制备条件 | 第32-33页 |
| 3.3.2 实验结果与分析 | 第33-35页 |
| 3.3.3 实验结论 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 不同 TMGa 流量的高温预生长实验 | 第37-44页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 实验样品的制备与测试 | 第37-38页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第38-43页 |
| 4.3.1 实时干涉曲线分析 | 第38-40页 |
| 4.3.2 XRD 数据分析 | 第40-41页 |
| 4.3.3 PL 积分强度分析 | 第41-42页 |
| 4.3.4 芯片样品数据分析 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 p-InGaN 插入层的实验研究 | 第44-49页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 两种结构 LED 的 p-GaN 生长 | 第44-48页 |
| 5.2.1 传统结构和 p-InGaN 插入层结构 | 第44-45页 |
| 5.2.2 p-InGaN/p-GaN 的生长条件 | 第45-46页 |
| 5.2.3 实验结果分析 | 第46-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 总结与展望 | 第49-51页 |
| 课题总结 | 第49-50页 |
| 工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附件 | 第57页 |