| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 插图索引 | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第11-16页 |
| 1.1.1 纳米科学技术与纳米材料 | 第11页 |
| 1.1.2 纳米材料的合成方法 | 第11-13页 |
| 1.1.3 纳米材料的分类 | 第13页 |
| 1.1.4 纳米结构的性质 | 第13-15页 |
| 1.1.5 纳米材料的应用及发展现状 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体纳米材料的表征手段 | 第16-20页 |
| 1.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第16-17页 |
| 1.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第17-18页 |
| 1.2.3 X 射线衍射仪(XRD)分析 | 第18页 |
| 1.2.4 表面光电压 | 第18-20页 |
| 1.2.5 Kelvin 探针技术 | 第20页 |
| 1.3 半导体纳米材料的光电性质及应用 | 第20-21页 |
| 1.4 本课题的研究背景、意义和内容 | 第21-23页 |
| 第2章 ZnSe 纳米带的制备及光学性质的研究 | 第23-35页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-26页 |
| 2.2.1 反应发生装置 | 第24页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第24-25页 |
| 2.2.3 样品表征 | 第25-26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-33页 |
| 2.3.1 晶体结构分析 | 第26页 |
| 2.3.2 微结构表征 | 第26-27页 |
| 2.3.3 光致发光表征 | 第27-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 ZnSe 纳米带光电性质的研究 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验部分 | 第36-38页 |
| 3.2.1 ZnSe 纳米带的制备 | 第36页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第36-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-42页 |
| 3.3.1 微观结构的表征 | 第38-39页 |
| 3.3.2 光电性质的表征 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 可控生长的 ZnSe 纳米带光学性质的研究 | 第43-50页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 实验部分 | 第44-45页 |
| 4.2.1 实验试剂和设备 | 第44页 |
| 4.2.2 缺陷 ZnSe 纳米带的制备 | 第44页 |
| 4.2.3 ZnSe 纳米带缺陷的可控生长 | 第44-45页 |
| 4.2.4 样品表征 | 第45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 4.3.1 微结构表征及 EDS 的测试 | 第45-47页 |
| 4.3.2 光致发光表征 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录A（攻读学位期间所发表的学术论文目录） | 第60页 |