磷掺杂硅纳米带及悬挂键对硅锗纳米带影响的第一性原理研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 纳米技术和纳米材料 | 第8-10页 |
| 1.1.1 纳米材料的诞生与发展 | 第8页 |
| 1.1.2 纳米材料的概念与分类 | 第8-9页 |
| 1.1.3 纳米材料的性质 | 第9-10页 |
| 1.2 硅纳米材料简述 | 第10-11页 |
| 1.3 硅锗纳米材料简述 | 第11页 |
| 1.4 本文框架 | 第11-14页 |
| 第2章 理论基础 | 第14-18页 |
| 2.1 第一性原理简述 | 第14页 |
| 2.2 绝热近似 | 第14页 |
| 2.3 单电子轨道近似 | 第14-15页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第15-18页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第15-16页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第16页 |
| 2.4.3 局域密度近似(LDA) | 第16-17页 |
| 2.4.4 广义梯度近似(GGA) | 第17-18页 |
| 第3章 磷掺杂硅纳米带电子特性的第一性原理研究 | 第18-28页 |
| 3.1 引言 | 第18页 |
| 3.2 计算模型和计算方法 | 第18-20页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第20-27页 |
| 3.3.1 磷掺杂对扶手椅型硅纳米带的影响 | 第20-23页 |
| 3.3.2 磷掺杂对锯齿型硅纳米带的影响 | 第23-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第4章 悬挂键对硅锗纳米带电磁性质的影响 | 第28-38页 |
| 4.1 引言 | 第28-29页 |
| 4.2 计算模型和计算方法 | 第29-30页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
| 4.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第5章 结论 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第48页 |
