摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 引言 | 第10-34页 |
1.1 过渡金属化合物 | 第10-17页 |
1.1.1 重费米子材料 | 第10-13页 |
1.1.2 铜基高温超导体 | 第13-15页 |
1.1.3 铁基高温超导体 | 第15-17页 |
1.2 中子衍射与磁结构研究 | 第17-29页 |
1.2.1 弹性中子散射 | 第18-22页 |
1.2.2 磁结构和散射矢量 | 第22-25页 |
1.2.3 磁结构的分类 | 第25-29页 |
1.3 Rietveld方法结构精修 | 第29-31页 |
1.3.1 Rietveld方法原理 | 第29-30页 |
1.3.2 Rietveld精修的步骤 | 第30-31页 |
1.3.3 Rietveld方法的结果分析 | 第31页 |
1.4 本论文研究内容 | 第31-34页 |
第2章 ThFeAsN等化合物的研究 | 第34-44页 |
2.1 研究背景 | 第34-37页 |
2.2 输运性质测量 | 第37-38页 |
2.3 中子粉末衍射实验 | 第38-42页 |
2.4 中子非弹性散射实验 | 第42-43页 |
2.5 讨论与展望 | 第43-44页 |
第3章 Yb_(1-x)Tb_xAgGe化合物的研究 | 第44-60页 |
3.1 研究背景 | 第44-48页 |
3.2 Yb_(1-x)Tb_xAgGe单晶样品制备 | 第48-50页 |
3.3 样品的物性表征 | 第50-58页 |
3.3.1 Yb_(1-x)Tb_xAgGe掺杂样品的物性表征 | 第51-52页 |
3.3.2 YbAgGe母体的物性研究 | 第52-58页 |
3.4 讨论与展望 | 第58-60页 |
第4章 Cr_2GaN化合物的研究 | 第60-78页 |
4.1 研究背景 | 第60-63页 |
4.2 Cr_2GaN的样品制备以及物性表征 | 第63-64页 |
4.3 中子粉末衍射谱的测量 | 第64-75页 |
4.4 Cr_2GaN粉末样品的非弹性散射实验 | 第75-77页 |
4.5 讨论与展望 | 第77-78页 |
第5章 Sr_(1-x)Ba_xFe_(1.97)Ni_(0.03)As_2化合物向列相的研究 | 第78-88页 |
5.1 研究背景 | 第78-82页 |
5.2 理论分析 | 第82-83页 |
5.3 实验结果和讨论 | 第83-87页 |
5.4 本章小结 | 第87-88页 |
第6章 全文总结 | 第88-90页 |
参考文献 | 第90-102页 |
个人简历及发表文章目录 | 第102-104页 |
致谢 | 第104-105页 |