| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-37页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·传统闪存器件 | 第14-19页 |
| ·基本工作原理 | 第14-16页 |
| ·编程和擦除机制 | 第16-18页 |
| ·面临的问题 | 第18-19页 |
| ·金属纳米晶存储器 | 第19-27页 |
| ·基本的器件结构和工作原理 | 第19-21页 |
| ·关键材料和工艺 | 第21-25页 |
| ·金属纳米晶的特性要求 | 第21-23页 |
| ·金属纳米晶的制备方法 | 第23-24页 |
| ·High-k材料 | 第24页 |
| ·High-k材料的制备方法 | 第24-25页 |
| ·面临的挑战 | 第25-27页 |
| ·金属纳米晶存储器的材料设计和性能改善 | 第27-30页 |
| ·隧穿层结构 | 第27-29页 |
| ·纳米晶电荷俘获层 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| ·参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 关键制备工艺和表征方法 | 第37-48页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·原子层淀积(ALD)工艺 | 第37-40页 |
| ·原子层淀积的原理 | 第37-38页 |
| ·原子层淀积的设备及要求 | 第38-40页 |
| ·原子层淀积的优势 | 第40页 |
| ·椭偏仪测量 | 第40-45页 |
| ·椭偏仪的优点和特点 | 第40-41页 |
| ·椭偏仪的工作原理 | 第41-45页 |
| ·纳米晶电容的电学测量 | 第45-46页 |
| ·本章小节 | 第46-47页 |
| ·参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 化学自组装生长金纳米晶及其存储效应的研究 | 第48-70页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·化学自组装生长金纳米晶的热稳定性 | 第49-55页 |
| ·实验设备和样品制备 | 第49-50页 |
| ·在Al_2O_3薄膜表面化学自组装金纳米晶及热稳定性 | 第50-54页 |
| ·AFM结果分析 | 第50-52页 |
| ·XPS分析 | 第52-54页 |
| ·在HfO_2薄膜表面化学自组装金纳米晶的热稳定性表征 | 第54-55页 |
| ·内嵌金纳米晶的HfO_2介质MOS电容的存储效应 | 第55-65页 |
| ·MOS电容的制备 | 第55-56页 |
| ·基于单层和双层金纳米晶的MOS电容的C-V滞回特性 | 第56-61页 |
| ·基于单层和双层金纳米晶的MOS电容的编程和保持特性 | 第61-65页 |
| ·本章小节 | 第65-66页 |
| ·参考文献 | 第66-70页 |
| 第四章 溅射后退火制备钌纳米晶及其存储效应的研究 | 第70-88页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·溅射后退火法制备钌纳米晶 | 第70-76页 |
| ·样品制备 | 第70-71页 |
| ·不同Ru初始厚度对纳米晶形成的影响 | 第71-73页 |
| ·退火时间的影响 | 第73-75页 |
| ·钌纳米晶成分分析 | 第75-76页 |
| ·内嵌Ru纳米晶的Al_2O_3介质MOS电容的存储效应研究 | 第76-85页 |
| ·实验设备和样品制备 | 第76页 |
| ·存储效应初步验证 | 第76-79页 |
| ·C-V滞回特性 | 第76-78页 |
| ·编程和擦除特性 | 第78-79页 |
| ·不同隧穿层/控制层厚度比对存储效应的影响 | 第79-85页 |
| ·本章小节 | 第85页 |
| ·参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 钴纳米晶的制备及存储器件的性能表征 | 第88-106页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·溅射法制备钴纳米晶 | 第88-95页 |
| ·实验设备及样品制备 | 第88页 |
| ·退火温度和初始钴层厚度对纳米晶形成的影响 | 第88-90页 |
| ·衬底温度的影响 | 第90-92页 |
| ·转速对成膜的影响 | 第92-95页 |
| ·钴纳米晶存储器性能表征 | 第95-103页 |
| ·输出特性曲线I_d-V_d | 第95-97页 |
| ·转移特性曲线I_d-V_g(滞回特性曲线) | 第97-100页 |
| ·编程/擦除特性和保持特性 | 第100-103页 |
| ·本章小节 | 第103-104页 |
| ·参考文献 | 第104-106页 |
| 第六章 面向纳米晶存储器的关键材料初探 | 第106-137页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·Nb_2O_5及Nb_2O_5/Al_2O_3叠层薄膜在硅衬底上的热稳定性 | 第106-121页 |
| ·样品制备和测试设备 | 第106-107页 |
| ·Nb_2O_5/Si(100)体系的热稳定性 | 第107-116页 |
| ·光学特性分析 | 第107-110页 |
| ·XRD结果分析 | 第110页 |
| ·TEM以及选区电子衍射结果 | 第110-111页 |
| ·AFM测试结果 | 第111-116页 |
| ·Nb_2O_5/Al_2O_3叠层薄膜的热稳定性 | 第116-121页 |
| ·FTIR结果 | 第116-118页 |
| ·光学特性分析 | 第118-120页 |
| ·AFM表征 | 第120页 |
| ·XRD结果 | 第120-121页 |
| ·基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2的MOS电容存储效应 | 第121-128页 |
| ·样品制备 | 第121-122页 |
| ·Al_2O_3薄膜表面Pt纳米晶的生长 | 第122-126页 |
| ·Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2的MOS电容存储效应 | 第126-128页 |
| ·酞菁铜薄膜表面锑纳米晶的生长及其存储效应 | 第128-131页 |
| ·实验设备和样品制备 | 第128-129页 |
| ·实验结果及分析 | 第129-131页 |
| ·AFM分析 | 第129-131页 |
| ·C-V分析 | 第131页 |
| ·本章结论 | 第131-133页 |
| ·参考文献 | 第133-137页 |
| 第七章 全文结论和展望 | 第137-140页 |
| 博士期间发表的论文和专利 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
