| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| §1.1 高K材料的兴起 | 第8-10页 |
| §1.2 高K材料稀土金属氧化物的研究现状 | 第10-11页 |
| §1.3 高K材料在高迁移率衬底上的生长 | 第11-12页 |
| §1.4 本论文内容简介 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-18页 |
| 第二章 稀土金属氧化物薄膜的生长技术与表征技术 | 第18-38页 |
| §2.1 锗硅的分子束外延生长技术 | 第18-22页 |
| §2.1.1 分子束外延技术简介 | 第18-19页 |
| §2.1.2 锗硅分子束外延系统 | 第19-20页 |
| §2.1.3 硅衬底片的清洗 | 第20-21页 |
| §2.1.4 锗衬底片的清洗 | 第21-22页 |
| §2.2 表征技术 | 第22-36页 |
| §2.2.1 反射式高能电子衍射 | 第22-23页 |
| §2.2.2 俄歇电子能谱 | 第23-26页 |
| §2.2.3 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| §2.2.4 X射线衍射 | 第27-28页 |
| §2.2.5 X射线光电子能谱 | 第28-31页 |
| §2.2.6 透射电子显微镜 | 第31页 |
| §2.2.7 电学性质表征 | 第31-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 硅衬底上单晶氧化铥薄膜的生长及电学性质 | 第38-52页 |
| §3.1 引言 | 第38页 |
| §3.2 单晶氧化铥薄膜的生长 | 第38-41页 |
| §3.3 单晶氧化铥薄膜的微结构 | 第41-43页 |
| §3.4 生长气压对薄膜微结构的影响 | 第43-44页 |
| §3.5 单晶氧化铥薄膜的电学性质 | 第44-46页 |
| §3.6 单晶氧化铥薄膜的热稳定性 | 第46-48页 |
| §3.7 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 硅衬底上非晶氧化铥薄膜的生长及电学性质 | 第52-60页 |
| §4.1 引言 | 第52页 |
| §4.2 非晶氧化铥薄膜的生长 | 第52-54页 |
| §4.3 非晶氧化铥薄膜的电学性质 | 第54-57页 |
| §4.4 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第五章 锗衬底上氧化铒薄膜的生长及电学性质 | 第60-70页 |
| §5.1 引言 | 第60页 |
| §5.2 氧化铒薄膜的生长 | 第60-62页 |
| §5.3 不同温度对薄膜生长的影响 | 第62-65页 |
| §5.4 不同温度对薄膜电学性质的影响 | 第65-67页 |
| §5.5 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第六章 锗衬底上氧化铒薄膜的能带偏移 | 第70-76页 |
| §6.1 引言 | 第70-71页 |
| §6.2 用XPS方法确定能带偏移的原理 | 第71页 |
| §6.3 Er_2O_3/Ge价带偏移的确定 | 第71-72页 |
| §6.4 Er_2O_3禁带宽度和Er_2O_3/Ge导带偏移的确定 | 第72-73页 |
| §6.5 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第七章 锗衬底的钝化探索 | 第76-82页 |
| §7.1 引言 | 第76页 |
| §7.2 臭氧氧化法钝化锗衬底 | 第76-79页 |
| §7.3 Si薄层钝化锗衬底 | 第79-80页 |
| §7.4 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第82-84页 |
| 攻读博士学位期间参加的学术会议 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |