| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 自旋电子学与高密度存储器件的发展 | 第12-23页 |
| 1.1.1 巨磁阻效应与自旋转移力矩效应 | 第12-16页 |
| 1.1.2 电控磁的发展 | 第16-19页 |
| 1.1.3 磁电耦合效应 | 第19-23页 |
| 1.2 单原子自旋系统及原子级存储 | 第23-27页 |
| 1.3 本论文研究内容及基本框架 | 第27-31页 |
| 第二章 理论及计算方法介绍 | 第31-39页 |
| 2.1 薛定谔方程求解 | 第31-33页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第33-39页 |
| 第三章 二维过渡金属硫化物中单原子自旋系统的研究 | 第39-55页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 计算方法 | 第40-41页 |
| 3.3 掺杂调控单层WS2的磁各向异性能的研究 | 第41-51页 |
| 3.3.1 结构稳定性和磁学性质 | 第41-46页 |
| 3.3.2 磁各向异性能 | 第46-51页 |
| 3.4 其它二维过渡金属硫化物的磁各向异性能研究 | 第51-53页 |
| 3.5 小结 | 第53-55页 |
| 第四章 基于磁电耦合效应的新型自旋电容器的设计及研究 | 第55-69页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 实验及计算方法 | 第57-58页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第58-68页 |
| 4.3.1 Ni/Cu自旋电容器的设计与制备 | 第58-60页 |
| 4.3.2 器件的表征与磁学性质的测量 | 第60-63页 |
| 4.3.3 磁学性质的第一性原理计算 | 第63-66页 |
| 4.3.4 金属层的层厚对磁学性质的影响 | 第66-68页 |
| 4.4 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 多层膜结构中基于磁电耦合效应的电场调控 | 第69-79页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 计算方法 | 第69-70页 |
| 5.3 电场调控Ni/Cu复合结构的磁性及磁电耦合效应 | 第70-74页 |
| 5.4 电场调控多层膜结构的磁电耦合效应及器件设计 | 第74-76页 |
| 5.5 小结 | 第76-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-97页 |
| 附录 | 第97-99页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果及其它 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
