| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRCT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 研究背景与现状 | 第9-10页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜的性质及制备工艺 | 第12-27页 |
| 2.1 硅基材料的类型和对应的性质 | 第12-14页 |
| 2.1.1 单晶硅（c-Si） | 第12页 |
| 2.1.2 非晶硅（a-Si） | 第12-13页 |
| 2.1.3 氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第13页 |
| 2.1.4 其他硅基材料 | 第13-14页 |
| 2.2 制备氢化纳米硅材料的方法和工艺 | 第14-21页 |
| 2.2.1 热丝化学气相法（HWCVD) | 第14-16页 |
| 2.2.2 磁控溅射法（Radiofrequency Magnetron Sputtering） | 第16-17页 |
| 2.2.3 真空蒸发镀膜法（Vacuum Deposition） | 第17页 |
| 2.2.4 等离子增强化学气相沉积法（PECVD） | 第17-21页 |
| 2.3 制备氢化纳米硅前的预处理 | 第21-23页 |
| 2.4 准分子激光晶化系统 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 氢化纳米硅的生长机理及表征手段 | 第27-50页 |
| 3.1 氢化纳米硅薄膜的微观生长机理 | 第27-29页 |
| 3.2 氢化纳米硅的宏观生长机理和模型 | 第29-33页 |
| 3.2.1 表面扩散生长模型 | 第29-30页 |
| 3.2.2 氢刻蚀模型 | 第30-31页 |
| 3.2.3 化学退火模型 | 第31-32页 |
| 3.2.4 离子轰击模型 | 第32-33页 |
| 3.3 氢化纳米硅的表征手段和分析 | 第33-47页 |
| 3.3.1 微观结构形貌表征 | 第34-35页 |
| 3.3.2 光学表征 | 第35-45页 |
| 3.3.3 电学表征 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 氢化纳米硅薄膜的准分子激光诱导晶化 | 第50-66页 |
| 4.1 引言 | 第50-52页 |
| 4.2 氢化纳米硅薄膜的制备及之后的激光晶化处理和实验测试 | 第52页 |
| 4.3 激光晶化后氢化纳米硅薄膜微结构的表征分析 | 第52-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 5.1 本文的主要结论和创新点 | 第66-67页 |
| 5.2 下一步的工作和展望 | 第67-68页 |
| 附录 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第72-74页 |
