学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
1.1 重金属废水污染 | 第10-13页 |
1.1.1 重金属的概念及来源 | 第10页 |
1.1.2 重金属的危害 | 第10-11页 |
1.1.3 重金属废水污染的去除 | 第11-13页 |
1.2 新型吸附剂-介孔二氧化硅 | 第13-16页 |
1.2.1 吸附剂的选择 | 第13-14页 |
1.2.2 介孔二氧化硅 | 第14页 |
1.2.3 介孔二氧化硅的改性 | 第14-16页 |
1.3 印迹技术 | 第16-18页 |
1.3.1 分子印迹技术 | 第16页 |
1.3.2 分子印迹聚合物的制备方法 | 第16-17页 |
1.3.3 离子印迹技术 | 第17-18页 |
1.4 膜技术 | 第18-20页 |
1.4.1 膜技术概况 | 第18页 |
1.4.2 膜的制备 | 第18-19页 |
1.4.3 膜的改性 | 第19-20页 |
1.5 研究的目的及内容 | 第20-22页 |
1.5.1 研究目的 | 第20-21页 |
1.5.2 研究内容 | 第21-22页 |
第二章 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜的制备及其性能研究 | 第22-42页 |
2.1 实验药品和实验仪器 | 第22-23页 |
2.2 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜的制备 | 第23-24页 |
2.2.1 铅离子印迹介孔SiO_2的制备 | 第23-24页 |
2.2.2 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜的制备 | 第24页 |
2.3 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜的表征 | 第24-26页 |
2.3.1 形貌分析 | 第24页 |
2.3.2 元素分析(EDX) | 第24页 |
2.3.3 红外光谱分析(FTIR) | 第24-25页 |
2.3.4 氮气吸附-脱附 | 第25页 |
2.3.5 X射线衍射(XRD) | 第25页 |
2.3.6 热重分析(TG) | 第25页 |
2.3.7 基本参数测定 | 第25-26页 |
2.4 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜对铅离子的吸附性能研究 | 第26-28页 |
2.4.1 吸附能力测试 | 第26页 |
2.4.2 溶液pH值对吸附性能的影响 | 第26页 |
2.4.3 杂化膜对Pb~(2+)的吸附动力学研究 | 第26-27页 |
2.4.4 膜面积/溶液体积的比例对吸附性能的影响 | 第27页 |
2.4.5 杂化膜对Pb~(2+)的等温吸附研究 | 第27页 |
2.4.6 反应温度对吸附性能的影响 | 第27页 |
2.4.7 杂化膜对溶液中重金属离子的选择性吸附测试 | 第27页 |
2.4.8 重复利用性能研究 | 第27-28页 |
2.5 结果与讨论 | 第28-41页 |
2.5.1 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜的表征 | 第28-33页 |
2.5.2 PVDF/IIMS(Pb)杂化膜对铅离子的吸附性能研究 | 第33-41页 |
2.6 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜的制备及其对Cu~(2+)的吸附性能研究 | 第42-60页 |
3.1 实验药品和主要仪器 | 第42-43页 |
3.2 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜的制备 | 第43-44页 |
3.2.1 铜离子印迹介孔二氧化硅的制备 | 第43页 |
3.2.2 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜的制备 | 第43-44页 |
3.3 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜的表征 | 第44页 |
3.4 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜对铜离子的吸附性能研究 | 第44-46页 |
3.4.1 杂化膜及硅球对铜离子的吸附量对比 | 第44页 |
3.4.2 pH的影响 | 第44-45页 |
3.4.3 溶液体积的影响 | 第45页 |
3.4.4 吸附动力学研究 | 第45页 |
3.4.5 等温吸附研究 | 第45页 |
3.4.6 温度的影响 | 第45页 |
3.4.7 选择性吸附研究 | 第45-46页 |
3.4.8 重复利用性能 | 第46页 |
3.5 结果与讨论 | 第46-57页 |
3.5.1 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜的表征 | 第46-50页 |
3.5.2 PVDF/铜离子印迹介孔SiO_2杂化膜对铜离子的吸附性能研究 | 第50-57页 |
3.6 本章小结 | 第57-60页 |
第四章 结论与展望 | 第60-62页 |
4.1 结论 | 第60-61页 |
4.2 展望 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-70页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第70-72页 |
致谢 | 第72页 |