| 目录 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 FLASH存储单元的工作原理及可靠性 | 第10-13页 |
| 1.2.1 Flash存储单元的基本原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Flash存储单元的编程和擦除机制 | 第11-12页 |
| 1.2.3 传统Flash存储单元的可靠性 | 第12-13页 |
| 1.3 金属纳米晶存储器工作原理及金属纳米晶的制备方法 | 第13-19页 |
| 1.3.1 金属纳米晶存储器的工作原理 | 第13-16页 |
| 1.3.2 金属纳米晶存储器中纳米晶的特性要求 | 第16-18页 |
| 1.3.3 金属纳米晶的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.4 原子层淀积的基本原理及应用 | 第19-23页 |
| 1.4.1 原子层淀积技术的基本原理 | 第19-20页 |
| 1.4.2 原子层淀积技术的参量 | 第20-21页 |
| 1.4.3 原子层淀积金属薄膜及金属纳米颗粒介绍 | 第21-23页 |
| 1.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第二章 原子层淀积铂纳米晶及其性能表征 | 第24-44页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验方案 | 第25-26页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第26-42页 |
| 2.3.1 不同衬底温度对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第27-30页 |
| 2.3.2 不同铂前驱体脉冲时间对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第30-33页 |
| 2.3.3 不同反应循环数对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第33-39页 |
| 2.3.4 不同衬底对Pt纳米颗粒生长的影响 | 第39-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 原子层淀积铂纳米晶的快速热退火研究 | 第44-54页 |
| 3.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2 实验方案 | 第45-46页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第46-52页 |
| 3.3.1 退火温度对Pt纳米晶颗粒形貌的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.2 退火温度对Pt纳米晶颗粒化学成分的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.3 退火时间对Pt纳米晶颗粒形貌的影响 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 基于原子层淀积Pt纳米晶的MOS电容存储效应研究 | 第54-65页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 实验方案 | 第55-56页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第56-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
