| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-16页 |
| 1.1 引言 | 第5-6页 |
| 1.2 非挥发性存储器简介 | 第6-9页 |
| 1.2.1 存储器分类 | 第6页 |
| 1.2.2 主流非挥发性存储器的瓶颈 | 第6-9页 |
| 1.2.3 新型非挥发储存器 | 第9页 |
| 1.3 RRAM简介 | 第9-14页 |
| 1.3.1 阻变材料的分类 | 第10-11页 |
| 1.3.2 1T1R结构的RRAM | 第11-12页 |
| 1.3.3 WO_x RRAM特性 | 第12-14页 |
| 1.4 选题动机与工作概述 | 第14-15页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 32kb RRAM阵列和外围电路设计 | 第16-50页 |
| 2.1 设计目标、整体架构设计 | 第16-17页 |
| 2.2 CELL设计 | 第17-27页 |
| 2.2.1 选通管的选取 | 第17-21页 |
| 2.2.2 2X2单元结构 | 第21-22页 |
| 2.2.3 一个bit单元的尺寸 | 第22-27页 |
| 2.3 阵列架构 | 第27-35页 |
| 2.3.1 架构选择 | 第27-28页 |
| 2.3.2 32Kb整体阵列结构 | 第28-31页 |
| 2.3.3 寄生参数的影响 | 第31-35页 |
| 2.4 外围电路 | 第35-49页 |
| 2.4.1 Row Decoder | 第36-41页 |
| 2.4.2 Column Decoder&Selector | 第41-47页 |
| 2.4.3 DMA&MUX | 第47-49页 |
| 2.4.4 Dummy Decoder | 第49页 |
| 2.5 小结 | 第49-50页 |
| 第三章 芯片版图优化设计 | 第50-65页 |
| 3.1 Row Decoder与阵列节点匹配 | 第50-54页 |
| 3.2 Column Selector与阵列节点匹配 | 第54-56页 |
| 3.3 芯片总拼 | 第56-57页 |
| 3.4 天线效应 | 第57-59页 |
| 3.5 I/O PAD版图设计 | 第59-61页 |
| 3.6 可测试性设计 | 第61-62页 |
| 3.7 测试结果 | 第62-64页 |
| 3.8 小结 | 第64-65页 |
| 第四章 总结与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |