摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第15-31页 |
1.1 课题背景与意义 | 第15-17页 |
1.1.1 背景 | 第15-17页 |
1.1.2 意义 | 第17页 |
1.2 半导体电力电子器件 | 第17-21页 |
1.3 绝缘栅双极晶体管综述 | 第21-29页 |
1.4 本文的主要工作 | 第29-31页 |
第2章 增强型高压绝缘栅双极晶体管的试验研究 | 第31-53页 |
2.1 增强型高压绝缘栅双极晶体管的设计 | 第31-38页 |
2.1.1 击穿电压设计 | 第32-35页 |
2.1.2 阈值电压设计 | 第35-36页 |
2.1.3 饱和电压设计 | 第36-37页 |
2.1.4 动态特性设计 | 第37-38页 |
2.1.5 可靠性设计 | 第38页 |
2.2 增强型高压绝缘栅双极晶体管的工艺设计 | 第38-47页 |
2.2.1 工艺流程设计 | 第38-40页 |
2.2.2 工艺参数设计与仿真 | 第40-47页 |
2.3 版图设计 | 第47-49页 |
2.4 芯片测试 | 第49-52页 |
2.5 小结 | 第52-53页 |
第3章 集电极沟槽高速绝缘栅双极晶体管的研究 | 第53-70页 |
3.1 集电极沟槽高速绝缘栅双极晶体管的设计 | 第53-55页 |
3.2 集电极沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真分析 | 第55-65页 |
3.2.1 阻断特性分析 | 第56-58页 |
3.2.2 转移特性分析 | 第58-59页 |
3.2.3 传输特性分析 | 第59-61页 |
3.2.4 动态特性分析 | 第61-63页 |
3.2.5 关断损耗分析 | 第63-64页 |
3.2.6 可靠性分析 | 第64-65页 |
3.3 改进型集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 | 第65-68页 |
3.3.1 改进型集电极沟槽绝缘栅双极晶体管的设计 | 第66页 |
3.3.2 传输特性分析 | 第66-67页 |
3.3.3 关断特性分析 | 第67页 |
3.3.4 关断损耗分析 | 第67-68页 |
3.4 集电极沟槽型绝缘栅双极晶体管的制造工艺 | 第68页 |
3.5 小结 | 第68-70页 |
第4章 准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的研究 | 第70-93页 |
4.1 准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的设计 | 第70-73页 |
4.2 准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的仿真分析 | 第73-85页 |
4.2.1 阻断特性分析 | 第74-76页 |
4.2.2 转移特性分析 | 第76-77页 |
4.2.3 传输特性分析 | 第77-80页 |
4.2.4 动态特性分析 | 第80-81页 |
4.2.5 关断损耗特性分析 | 第81-82页 |
4.2.6 闭锁特性分析 | 第82-84页 |
4.2.7 动态短路特性分析 | 第84-85页 |
4.3 改进型准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管 | 第85-91页 |
4.3.1 传输特性分析 | 第87-88页 |
4.3.2 关断特性分析 | 第88页 |
4.3.3 关断损耗特性分析 | 第88-89页 |
4.3.4 安全工作区分析 | 第89-91页 |
4.3.5 动态短路特性分析 | 第91页 |
4.4 准晶闸管型高导绝缘栅双极晶体管的制造工艺 | 第91-92页 |
4.5 小结 | 第92-93页 |
结论 | 第93-96页 |
参考文献 | 第96-105页 |
附录 | 第105-106页 |
附录A 主要学术成果 | 第105页 |
附录B 主要参与项目 | 第105-106页 |
致谢 | 第106页 |