| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 芯片与基板的传统互连技术 | 第9-14页 |
| 1.2.1 回流焊技术 | 第10-11页 |
| 1.2.2 导电胶固化互连技术 | 第11-12页 |
| 1.2.3 低温烧结互连技术 | 第12-14页 |
| 1.3 快速烧结技术研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.1 微波烧结 | 第14页 |
| 1.3.2 激光烧结 | 第14-15页 |
| 1.3.3 电流烧结 | 第15-16页 |
| 1.4 本文研究的意义和主要工作 | 第16-18页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.4.2 主要工作 | 第17-18页 |
| 第2章 试样制备及实验装置 | 第18-26页 |
| 2.1 实验材料 | 第18-19页 |
| 2.1.1 纳米银焊膏 | 第18-19页 |
| 2.1.2 基板和绝缘栅双极型晶体管（IGBT） | 第19页 |
| 2.2 实验设备 | 第19-21页 |
| 2.2.1 预热用加热台 | 第19-20页 |
| 2.2.2 电流辅助烧结装置 | 第20-21页 |
| 2.2.3 纳米银烧结试样制备 | 第21页 |
| 2.3 测试设备 | 第21-25页 |
| 2.3.1 红外热像仪（SAT） | 第21-22页 |
| 2.3.2 多功能推拉力测试仪 | 第22-23页 |
| 2.3.3 热阻测试系统 | 第23-24页 |
| 2.3.4 电气开关特性双脉冲测试装置 | 第24-25页 |
| 2.4 分析方法 | 第25-26页 |
| 2.4.1 热失重分析 | 第25页 |
| 2.4.2 孔隙率及颗粒尺寸的计算 | 第25页 |
| 2.4.3 空洞率 | 第25-26页 |
| 第3章 电流辅助低温烧结工艺 | 第26-43页 |
| 3.1 工艺参数选取 | 第26-32页 |
| 3.1.1 烧结过程辅助压力 | 第26-27页 |
| 3.1.2 预热参数 | 第27-29页 |
| 3.1.3 烧结电流与通电时间 | 第29-32页 |
| 3.2 电流烧结纳米银连接IGBT芯片与基板的连接工艺研究 | 第32-40页 |
| 3.2.1 实验方案 | 第32-33页 |
| 3.2.2 电流参数对接头剪切强度和热学性能的影响 | 第33-38页 |
| 3.2.3 预热参数对对剪切强度和热学性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.3 IGBT芯片连接试样的电气性能 | 第40-43页 |
| 第4章 电流烧结对纳米银焊膏微观形貌的影响 | 第43-50页 |
| 4.1 工艺参数对颗粒尺寸的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 孪晶 | 第45-50页 |
| 第五章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 结论 | 第50-51页 |
| 5.2 展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |