| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 二次电子发射系数的研究意义 | 第12页 |
| 1.2 二次电子发射系数测量的原理与研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 二次电子发射系数测量的基本原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 二次电子发射系数测量的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 绝缘体的二次电子发射现象在电荷存储器中的应用理论 | 第14-18页 |
| 1.4 电子枪的介绍和研究方法 | 第18页 |
| 1.5 二次电子发射系数的测量 | 第18页 |
| 1.6 论文的结构安排 | 第18-20页 |
| 第二章 二次电子发射基本理论 | 第20-28页 |
| 2.1 二次电子发射的物理过程 | 第20-21页 |
| 2.1.1 二次电子激发过程 | 第20-21页 |
| 2.1.2 二次电子向表面运动过程 | 第21页 |
| 2.1.3 二次电子从表面逸出过程 | 第21页 |
| 2.2 绝缘体的二次电子发射影响因素 | 第21-23页 |
| 2.2.1 原电子能量的影响 | 第21-22页 |
| 2.2.2 温度的影响 | 第22页 |
| 2.2.3 材料厚度对绝缘体二次电子发射的影响 | 第22页 |
| 2.2.4 外电场的影响 | 第22-23页 |
| 2.2.5 表面势垒的影响 | 第23页 |
| 2.3 二次电子发射系数定量计算 | 第23-26页 |
| 2.4 二次电子的能量分布 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 二次电子发射系数测量方案研究 | 第28-41页 |
| 3.1 金属二次电子发射系数测量方法研究 | 第28页 |
| 3.2 绝缘体二次电子发射系数测量方法研究 | 第28-32页 |
| 3.2.1 单枪法测量 | 第29-30页 |
| 3.2.2 双枪法测量 | 第30-32页 |
| 3.3 本论文二次电子发射系数测量方案设计 | 第32-36页 |
| 3.3.1 研究目标 | 第32-33页 |
| 3.3.2 研究内容 | 第33页 |
| 3.3.3 关键技术分析 | 第33-35页 |
| 3.3.4 技术路线及可行性分析 | 第35-36页 |
| 3.4 三枪法二次电子发射系数测量装置总体设计 | 第36-37页 |
| 3.5 关键技术问题解决方法 | 第37-40页 |
| 3.5.1 绝缘材料表面电位的控制 | 第37-38页 |
| 3.5.2 脉冲电子束的控制 | 第38-39页 |
| 3.5.3 表面积累电荷的泄放技术 | 第39-40页 |
| 3.5.4 微弱电流信号的测量技术 | 第40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 电子枪设计 | 第41-47页 |
| 4.1 EBS软件简介 | 第42页 |
| 4.2 电子枪结构模拟方法 | 第42-43页 |
| 4.3 电子枪模拟结果与分析 | 第43-45页 |
| 4.4 收集极模拟结果与分析 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 二次电子发射系数测量装置电源设计 | 第47-54页 |
| 5.1 一次电子枪电源设计 | 第48-50页 |
| 5.2 灯丝电源设计 | 第50-51页 |
| 5.3 中和枪栅极电源设计 | 第51页 |
| 5.4 积分放大电路设计 | 第51-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 电子枪的发射性能测试 | 第54-64页 |
| 6.1 测量工具 | 第54页 |
| 6.2 测量步骤和方法 | 第54-55页 |
| 6.3 不锈钢法拉第筒测量结果与分析 | 第55-62页 |
| 6.4 石墨法拉第筒测量结果与分析 | 第62-63页 |
| 6.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第七章 测量云母片的二次发射系数实验 | 第64-67页 |
| 7.1 云母片测量前实验处理 | 第64页 |
| 7.2 测量步骤 | 第64-65页 |
| 7.3 实验数据与结果 | 第65页 |
| 7.4 实验误差可能来源分析 | 第65-66页 |
| 7.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第八章 总结与展望 | 第67-68页 |
| 8.1 总结 | 第67页 |
| 8.2 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录 | 第73-75页 |