| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体光催化材料概述 | 第13-15页 |
| 1.3 半导体光催化材料掺杂国内外研究现状 | 第15-23页 |
| 1.3.1 半导体光催化材料掺杂起源 | 第15-17页 |
| 1.3.2 半导体光催化材料掺杂分类 | 第17-23页 |
| 1.4 第一性原理计算 | 第23-30页 |
| 1.4.1 第一性原理计算的基础理论和研究方法 | 第24-29页 |
| 1.4.2 第一性原理计算中半导体掺杂形式 | 第29-30页 |
| 1.5 课题选择的意义和研究内容 | 第30-32页 |
| 第2章 对N掺杂GeO_2的光催化活性起源的第一性原理研究 | 第32-45页 |
| 2.1 引言 | 第32-33页 |
| 2.2 理论模型和计算细节 | 第33-34页 |
| 2.3 计算分析结果与讨论 | 第34-43页 |
| 2.3.1 结构性质和缺陷形成能 | 第34-36页 |
| 2.3.2 马利肯布居数以及化学键分析 | 第36-39页 |
| 2.3.3 电子结构 | 第39-42页 |
| 2.3.4 光学性质 | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第3章 对掺杂的石墨烯与Ag_3PO_4的复合材料带隙附近的电子结构、界面电荷转移以及光催化性能的研究 | 第45-59页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 理论模型和计算细节 | 第46-47页 |
| 3.3 计算结果分析及讨论 | 第47-57页 |
| 3.3.1 几何结构和形成能 | 第47-49页 |
| 3.3.2 态密度分析 | 第49-51页 |
| 3.3.3 马利肯布居数,电荷转移和机理分析 | 第51-56页 |
| 3.3.4 光学性质 | 第56-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-74页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |