| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 石墨烯的结构、性质和制备方法 | 第11-14页 |
| 1.1.1 石墨烯的发现 | 第11页 |
| 1.1.2 石墨烯的结构和性质 | 第11-13页 |
| 1.1.3 石墨烯的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.2 分子吸附研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 选题依据及研究内容 | 第16-19页 |
| 第2章 计算理论基础和计算方法 | 第19-27页 |
| 2.1 前言 | 第19页 |
| 2.2 第一性原理 | 第19-20页 |
| 2.3 密度泛函理论（DFT） | 第20-23页 |
| 2.3.1 Born-Oppenheimer的绝热近似 | 第20-21页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第21-22页 |
| 2.3.4 两种交换关联近似：LDA和GGA | 第22-23页 |
| 2.4 模拟软件简介 | 第23-25页 |
| 2.4.1 Material studio简介 | 第23-24页 |
| 2.4.2 DMol3软件包简介 | 第24页 |
| 2.4.3 DFTB+软件包简介 | 第24-25页 |
| 2.5 模拟计算的内容 | 第25-27页 |
| 第3章 R6G分子在完美石墨烯和本征缺陷石墨烯表面的吸附 | 第27-49页 |
| 3.1 R6G分子在完美石墨烯表面的吸附 | 第27-31页 |
| 3.1.1 完美石墨烯理论模型的构造 | 第27-29页 |
| 3.1.2 R6G分子在完美石墨表面的吸附 | 第29-30页 |
| 3.1.3 R6G分子吸附对完美石墨电子结构的影响 | 第30-31页 |
| 3.2 R6G分子在本征缺陷石墨烯表面的吸附 | 第31-45页 |
| 3.2.1 R6G分子在石墨烯表面单空位缺陷处(G-MV)的吸附 | 第31-35页 |
| 3.2.2 R6G分子在石墨烯表面双空位缺陷(G-DV)处的吸附 | 第35-37页 |
| 3.2.3 R6G分子在石墨烯表面三空位缺陷(G-3C)上的吸附 | 第37-40页 |
| 3.2.4 R6G分子在石墨烯表面四空位缺陷(G-4C)处的吸附 | 第40-42页 |
| 3.2.5 R6G分子在石墨烯表面SW缺陷(G-SW)处的吸附 | 第42-45页 |
| 3.3 R6G分子吸附对输运性质的影响 | 第45-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 R6G分子在氧/羟基修饰石墨烯表面的吸附 | 第49-65页 |
| 4.1 氧/羟基修饰完美石墨烯 | 第50-54页 |
| 4.1.1 R6G分子在氧原子修饰石墨烯表面的吸附 | 第50-52页 |
| 4.1.2 R6G分子在羟基修饰石墨烯表面的吸附 | 第52-54页 |
| 4.2 R6G分子在氧/羟基修饰单空位石墨烯表面(G-MV)的吸附 | 第54-60页 |
| 4.2.1 R6G分子在氧原子修饰单空位石墨烯表面的吸附 | 第54-58页 |
| 4.2.2 R6G分子在羟基修饰单空位石墨烯表面的吸附 | 第58-60页 |
| 4.3 R6G分子在氧化双空位石墨烯(G-DV)表面的吸附 | 第60-63页 |
| 4.3.1 氧化双空位石墨烯的结构及其R6G分子的吸附 | 第60-62页 |
| 4.3.2 R6G分子在羟基修饰双空位石墨烯表面的吸附 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 R6G分子在B/N掺杂石墨烯表面的吸附 | 第65-75页 |
| 5.1 R6G分子在B/N掺杂石墨烯(B/N-G)表面的吸附 | 第65-68页 |
| 5.2 R6G分子在B/N掺杂单空位石墨烯(B/N-G-MV)表面的吸附 | 第68-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 第6章 结论与讨论 | 第75-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
