| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 前言 | 第12-15页 |
| 第一章 （e,2e）反应基本图象概述 | 第15-26页 |
| ·(e, 2e)反应基本物理图象 | 第15-17页 |
| ·(e, 2e)反应的散射截面 | 第17-19页 |
| ·三重微分散射截面 | 第17-18页 |
| ·其它微分散射截面 | 第18-19页 |
| ·(e, 2e)反应的动力学条件 | 第19-21页 |
| ·共面几何条件(Ehrhardt，Amaldi 几何条件) | 第19-20页 |
| ·非共面几何条件（Weigold 几何条件） | 第20-21页 |
| ·(e, 2e)反应的几种碰撞机制 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 （e,2e）反应的理论方法 | 第26-46页 |
| ·研究现状与意义 | 第26-27页 |
| ·(e, 2e)反应的理论方法 | 第27-28页 |
| ·BBK 理论研究的概况 | 第28-34页 |
| ·BBK 模型 | 第29-33页 |
| ·索末菲参量的修正（D53C 模型） | 第33-34页 |
| ·BBK 理论的应用 | 第34-41页 |
| ·BBK 理论在氢原子(e,2e)反应的应用 | 第34-38页 |
| ·BBK 理论在氦原子(e,2e)反应的应用 | 第38-41页 |
| ·剩余电子屏蔽理论 | 第41-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 共面几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究 | 第46-57页 |
| ·研究现状与意义 | 第46-47页 |
| ·中、高能情况下剩余电子屏蔽效应研究 | 第47-51页 |
| ·各种模型的比较 | 第48-49页 |
| ·曲线差异的原因 | 第49-51页 |
| ·本节小结 | 第51页 |
| ·低入射能情况下剩余电子屏蔽效应研究 | 第51-54页 |
| ·各种模型的比较 | 第52-53页 |
| ·曲线差异的原因 | 第53-54页 |
| ·本节小结 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 特殊几何条件下交换、屏蔽与剩余电子屏蔽的理论研究 | 第57-93页 |
| 第一部分：大能量损失小动量转移几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究 | 第57-70页 |
| ·研究现状与意义 | 第57-59页 |
| ·各理论曲线之间的差异 | 第59-60页 |
| ·各曲线双峰角分布的研究 | 第60-62页 |
| ·各曲线差异的本质 | 第62-65页 |
| ·剩余电子屏蔽效应的理论研究 | 第65-69页 |
| ·本部分小结 | 第69-70页 |
| 第二部分：截面依赖动量转移几何条件下屏蔽效应的理论研究 | 第70-81页 |
| ·研究现状与意义 | 第70-71页 |
| ·各理论曲线之间的差异 | 第71-74页 |
| ·三重微分截面的特征 | 第74-76页 |
| ·末通道屏蔽效应的理论研究 | 第76-81页 |
| ·本部分小结 | 第81页 |
| 第三部分：截面依赖动量转移几何条件下交换效应的理论研究 | 第81-91页 |
| ·研究现状与意义 | 第81-82页 |
| ·TDCS 结构和Gamow 因子 | 第82-84页 |
| ·末通道的库仑场的屏蔽 | 第84-85页 |
| ·交换效应的理论研究 | 第85-90页 |
| ·本部分小结 | 第90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第五章 非共面几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究 | 第93-113页 |
| ·研究现状与意义 | 第93-95页 |
| ·非共面角度与理论计算角度的转化关系 | 第95-97页 |
| ·结果与讨论 | 第97-102页 |
| ·氢原子与氦原子理论计算曲线 | 第97-99页 |
| ·DS3C 模型与BBK 模型的比较 | 第99-102页 |
| ·非共面索末菲参量的修正 | 第102-107页 |
| ·低能入射情况 | 第102-105页 |
| ·64.6eV 入射情况 | 第105-107页 |
| ·截面差异的本质原因 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 第六章 结论与展望 | 第113-116页 |
| ·本论文工作的主要结论 | 第113-115页 |
| ·展望 | 第115-116页 |
| 研究生期间发表的论文及获奖情况 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
