| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 SnO_2气体传感器的研究 | 第9-13页 |
| 1.2.1 SnO_2半导体材料的气敏机理 | 第9-11页 |
| 1.2.2 SnO_2气体传感器的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 SnO_2气体传感器的发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.3 泡沫SnO_2的制备方法及其研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 泡沫SnO_2的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 泡沫SnO_2的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 论文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 硅基SnO_2泡沫材料过渡层的制备及表征 | 第18-27页 |
| 2.1 过渡层增强界面附着性机理 | 第18-19页 |
| 2.2 过渡层的制备 | 第19-24页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第20页 |
| 2.2.2 基片的预处理 | 第20-21页 |
| 2.2.3 高温氧化制备SiO_2膜 | 第21-22页 |
| 2.2.4 电子束蒸发法制备Sn纳米薄膜 | 第22-23页 |
| 2.2.5 制备不同温度下热氧化的SnO_2薄膜 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜的表征 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 硅基SnO_2泡沫材料的制备及表征 | 第27-39页 |
| 3.1 主要试剂与仪器 | 第27页 |
| 3.1.1 主要试剂 | 第27页 |
| 3.1.2 主要仪器 | 第27页 |
| 3.2 泡沫Sn的制备 | 第27-35页 |
| 3.2.1 磁控溅射法制备锡薄膜 | 第28-29页 |
| 3.2.2 电化学沉积法制备泡沫锡 | 第29-30页 |
| 3.2.3 不同参数对薄膜形貌结构的影响 | 第30-35页 |
| 3.3 SnO_2泡沫材料的制备 | 第35-38页 |
| 3.3.1 热氧化法制备泡沫SnO_2 | 第35-36页 |
| 3.3.2 泡沫SnO_2薄膜的表征 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 气敏元件的制备及其气敏特性的研究 | 第39-52页 |
| 4.1 SnO_2气敏元件的制备 | 第39-41页 |
| 4.2 SnO_2材料对乙醇气体的气敏机理 | 第41-44页 |
| 4.3 气敏测试系统 | 第44-45页 |
| 4.4 SnO_2泡沫材料对乙醇的气敏性能分析 | 第45-51页 |
| 4.4.1 SnO_2泡沫材料对乙醇的灵敏度测试 | 第45-46页 |
| 4.4.2 SnO_2泡沫材料工作温度的测试 | 第46-47页 |
| 4.4.3 SnO_2泡沫材料选择性的测试 | 第47-49页 |
| 4.4.4 SnO_2泡沫材料响应时间与恢复时间的测试 | 第49-50页 |
| 4.4.5 SnO_2泡沫材料重复性的测试 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60页 |