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基于硅光电倍增管的γ闪烁谱仪研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-15页
    1.1 课题研究背景及意义第11-12页
    1.2 国内外研究现状第12-14页
    1.3 本论文主要研究内容第14-15页
第2章 SiPM探测光子基本原理第15-25页
    2.1 SiPM结构组成第15页
    2.2 APD探测光子过程第15-19页
        2.2.1 APD表面光反射第16页
        2.2.2 钝化层光吸收损失第16页
        2.2.3 硅半导体中的光吸收第16-17页
        2.2.4 扩散第17-19页
        2.2.5 雪崩效应第19页
    2.3 SiPM重要性能参数第19-23页
        2.3.1 量子效率第19-20页
        2.3.2 过剩噪声因子第20-21页
        2.3.3 增益第21-22页
        2.3.4 光子探测效率第22页
        2.3.5 暗计数第22-23页
    2.4 本章小结第23-25页
第3章 探测装置性能分析第25-47页
    3.1 蒙特卡罗方法第25-31页
        3.1.1 方法介绍第25-26页
        3.1.2 计算方差第26-28页
        3.1.3 减小方差技巧第28-29页
        3.1.4 能谱展宽算法第29-31页
    3.2 围绕探测器的模拟设计第31-37页
        3.2.1 探测模块构建第31-32页
        3.2.2 物理过程声明第32-33页
        3.2.3 程序参数化设置第33-36页
        3.2.4 模拟数据处理第36-37页
    3.3 围绕探测器的模拟计算第37-45页
        3.3.1 能量分辨率模拟第37-39页
        3.3.2 探测效率模拟第39-41页
        3.3.3 康普顿过程的偏倚第41-44页
        3.3.4 环境放射性模拟第44-45页
    3.4 本章小结第45-47页
第4章 实验设计与结果分析第47-59页
    4.1 探测系统构建第47页
    4.2 探头设计第47-50页
        4.2.1 光电器件选择第47-48页
        4.2.2 前置放大电路设计第48-50页
    4.3 插件式谱仪第50-51页
    4.4 能谱分析软件第51页
    4.5 实验结果第51-57页
        4.5.1 探头温度响应第51-53页
        4.5.2 磁场特性第53-54页
        4.5.3 抗辐照特性第54-55页
        4.5.4 能量线性响应第55-56页
        4.5.5 能量分辨第56-57页
    4.6 本章小结第57-59页
第5章 结论与展望第59-61页
参考文献第61-67页
攻读硕士学位期间的科研成果第67-69页
致谢第69页

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