基于硅光电倍增管的γ闪烁谱仪研究
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-15页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
1.3 本论文主要研究内容 | 第14-15页 |
第2章 SiPM探测光子基本原理 | 第15-25页 |
2.1 SiPM结构组成 | 第15页 |
2.2 APD探测光子过程 | 第15-19页 |
2.2.1 APD表面光反射 | 第16页 |
2.2.2 钝化层光吸收损失 | 第16页 |
2.2.3 硅半导体中的光吸收 | 第16-17页 |
2.2.4 扩散 | 第17-19页 |
2.2.5 雪崩效应 | 第19页 |
2.3 SiPM重要性能参数 | 第19-23页 |
2.3.1 量子效率 | 第19-20页 |
2.3.2 过剩噪声因子 | 第20-21页 |
2.3.3 增益 | 第21-22页 |
2.3.4 光子探测效率 | 第22页 |
2.3.5 暗计数 | 第22-23页 |
2.4 本章小结 | 第23-25页 |
第3章 探测装置性能分析 | 第25-47页 |
3.1 蒙特卡罗方法 | 第25-31页 |
3.1.1 方法介绍 | 第25-26页 |
3.1.2 计算方差 | 第26-28页 |
3.1.3 减小方差技巧 | 第28-29页 |
3.1.4 能谱展宽算法 | 第29-31页 |
3.2 围绕探测器的模拟设计 | 第31-37页 |
3.2.1 探测模块构建 | 第31-32页 |
3.2.2 物理过程声明 | 第32-33页 |
3.2.3 程序参数化设置 | 第33-36页 |
3.2.4 模拟数据处理 | 第36-37页 |
3.3 围绕探测器的模拟计算 | 第37-45页 |
3.3.1 能量分辨率模拟 | 第37-39页 |
3.3.2 探测效率模拟 | 第39-41页 |
3.3.3 康普顿过程的偏倚 | 第41-44页 |
3.3.4 环境放射性模拟 | 第44-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-47页 |
第4章 实验设计与结果分析 | 第47-59页 |
4.1 探测系统构建 | 第47页 |
4.2 探头设计 | 第47-50页 |
4.2.1 光电器件选择 | 第47-48页 |
4.2.2 前置放大电路设计 | 第48-50页 |
4.3 插件式谱仪 | 第50-51页 |
4.4 能谱分析软件 | 第51页 |
4.5 实验结果 | 第51-57页 |
4.5.1 探头温度响应 | 第51-53页 |
4.5.2 磁场特性 | 第53-54页 |
4.5.3 抗辐照特性 | 第54-55页 |
4.5.4 能量线性响应 | 第55-56页 |
4.5.5 能量分辨 | 第56-57页 |
4.6 本章小结 | 第57-59页 |
第5章 结论与展望 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-67页 |
攻读硕士学位期间的科研成果 | 第67-69页 |
致谢 | 第69页 |