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金属氧化物半导体的结构控制及性能研究

摘要第7-8页
ABSTRACT第8-9页
第1章 绪论第10-22页
    1.1 引言第10-13页
        1.1.1 金属氧化物简介第10-11页
        1.1.2 纳米金属氧化物第11-12页
        1.1.3 纳米金属氧化物的制备第12-13页
        1.1.4 纳米金属氧化物半导体的应用第13页
    1.2 氧化镍(NiO)第13-15页
        1.2.1 NiO材料的基本特性第13-14页
        1.2.2 研究现状及电化学应用第14-15页
    1.3 二氧化钛(TiO_2)第15-20页
        1.3.1 TiO_2 材料的基本特性第15-17页
        1.3.2 研究现状及材料应用第17-20页
    1.4 选题意义及研究内容第20-22页
第2章 无模板法合成骸晶状NiO八面体及表面凹陷对电化学性能的影响第22-34页
    2.1 引言第22-23页
    2.2 实验部分第23-24页
        2.2.1 实验试剂第23页
        2.2.2 仪器表征第23页
        2.2.3 骸晶氧化镍八面体的制备第23-24页
        2.2.4 电化学性能测试第24页
    2.3 结果与讨论第24-29页
        2.3.1 物相与结构分析第24-27页
        2.3.2 NiO材料电化学性能分析第27-29页
    2.4 骸晶NiO八面体形成机理第29-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第3章 大比表面积高结晶度TiO_2纳米球制氢和光催化活性研究第34-44页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 实验部分第35-36页
        3.2.1 实验试剂第35页
        3.2.2 仪器表征第35页
        3.2.3 TiO_2 纳米球的制备第35-36页
        3.2.4 TiO_2 的光催化性能测试第36页
        3.2.5 光催化产H_2 性能测试第36页
    3.3 结果与讨论第36-41页
        3.3.1 物相与结构分析第36-39页
        3.3.7 光催化性能分析第39-41页
    3.4 TiO_2 纳米球的形成机理第41-42页
    3.5 本章小结第42-44页
第4章 P-N异质结NiO-TiO_2材料的制备及光催化性能研究第44-50页
    4.1 引言第44页
    4.2 实验部分第44-46页
        4.2.1 实验试剂第44-45页
        4.2.2 仪器表征第45页
        4.2.3 P-N异质结TiO_2-NiO的制备第45页
        4.2.4 光催化反应测试第45-46页
    4.3 结果与讨论第46-47页
    4.4 光催化性能测试第47-48页
    4.5 TiO_2-NiO异质结光催化机理第48-49页
    4.6 结论第49-50页
第5章 论文总结第50-52页
    5.1 主要结论第50-51页
    5.2 有待于进一步研究第51页
    5.3 创新点第51-52页
参考文献第52-68页
致谢第68-70页
在学期间主要科研成果第70页

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