长波红外非线性光学晶体CdSe的生长及其性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 红外非线性晶体CdSe | 第13-18页 |
| 1.2.1 CdSe晶体的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 CdSe晶体的性质及其应用 | 第15-17页 |
| 1.2.3 CdSe晶体研究进展 | 第17-18页 |
| 1.3 课题研究内容及意义 | 第18-19页 |
| 1.4 本章小结 | 第19-21页 |
| 第二章 晶体生长方法概述 | 第21-33页 |
| 2.1 熔体法晶体生长 | 第21-23页 |
| 2.2 溶液法晶体生长 | 第23-24页 |
| 2.3 气相法晶体生长 | 第24-25页 |
| 2.4 物理气相晶体生长 | 第25-30页 |
| 2.4.1 物理气相生长的基本原理 | 第25-28页 |
| 2.4.2 物理气相生长的界面过程 | 第28页 |
| 2.4.3 物理气相生长热力学分析 | 第28-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 CdSe多晶原料合成 | 第33-43页 |
| 3.1 CdSe多晶合成现状 | 第33页 |
| 3.2 原料及实验仪器的准备 | 第33-34页 |
| 3.3 CdSe多晶合成实验 | 第34-39页 |
| 3.3.1 Cd/Se体系反应热力学分析 | 第34-35页 |
| 3.3.2 适宜反应温度点的推算 | 第35-38页 |
| 3.3.3 多晶合成实验 | 第38页 |
| 3.3.4 样品测试 | 第38-39页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第39-41页 |
| 3.4.1 X射线粉末衍射测试 | 第39-40页 |
| 3.4.2 热重测试和差热分析 | 第40页 |
| 3.4.3 等离子发射光谱仪测试 | 第40-41页 |
| 3.5 原料合成纯度的影响因素分析 | 第41-42页 |
| 3.5.1 原料配比 | 第41-42页 |
| 3.5.2 温度与外加压力 | 第42页 |
| 3.5.3 降温速率 | 第42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 CdSe单晶生长及性能表征 | 第43-59页 |
| 4.1 CdSe单晶生长方法分析 | 第43-46页 |
| 4.1.1 生长方法选择 | 第43-44页 |
| 4.1.2 CdSe单晶生长速率理论分析 | 第44-45页 |
| 4.1.3 CdSe单晶气相生长参数的确定 | 第45-46页 |
| 4.2 实验前的准备工作 | 第46-50页 |
| 4.2.1 坩埚的选择及清洗 | 第47页 |
| 4.2.2 石英坩埚镀碳膜 | 第47-48页 |
| 4.2.3 真空封装 | 第48-50页 |
| 4.3 CdSe单晶生长 | 第50-52页 |
| 4.3.1 单晶生长工艺 | 第50-51页 |
| 4.3.2 单晶生长过程 | 第51-52页 |
| 4.4 CdSe单晶性能测试和表征 | 第52-57页 |
| 4.4.1 成分分析 | 第52-53页 |
| 4.4.2 单晶粉末衍射 | 第53-54页 |
| 4.4.3 单晶摇摆曲线 | 第54-55页 |
| 4.4.4 表面形貌观测 | 第55页 |
| 4.4.5 红外透过率 | 第55-56页 |
| 4.4.6 位错密度 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 CdSe非线性变频参量数值模拟 | 第59-71页 |
| 5.1 非线性光学相位匹配 | 第59-63页 |
| 5.1.1 相位匹配概念 | 第59-62页 |
| 5.1.2 单轴晶体相位匹配 | 第62-63页 |
| 5.2 晶体二阶非线性系数 | 第63-65页 |
| 5.3 Sellmeier色散曲线 | 第65-66页 |
| 5.4 非线性变频参量模拟计算 | 第66-70页 |
| 5.4.1 走离角计算 | 第66-68页 |
| 5.4.2 允许角计算 | 第68-69页 |
| 5.4.3 OPO角度调谐曲线计算 | 第69-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第71-75页 |
| 6.1 总结 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 附录 常用红外非线光学晶体主要性能参数表 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第85页 |
