| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 铁电材料简介 | 第14-18页 |
| 1.1.1 铁电材料的基本概念 | 第14-16页 |
| 1.1.2 铁电材料的分类 | 第16-17页 |
| 1.1.3 铁电材料的应用 | 第17-18页 |
| 1.2 铋层状铁电体 | 第18-22页 |
| 1.2.1 铋层状铁电体的基本概述 | 第18-20页 |
| 1.2.2 铋层状共生铁电体的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 铁电薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| 1.3.1 物理法 | 第23-24页 |
| 1.3.2 化学法 | 第24-25页 |
| 1.4 本课题的研究目的及主要内容 | 第25-28页 |
| 1.4.1 本课题研究的目的及意义 | 第25页 |
| 1.4.2 本课题研究的主要内容 | 第25-28页 |
| 第二章 CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的制备与表征 | 第28-36页 |
| 2.1 CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的制备 | 第28-31页 |
| 2.1.1 实验仪器及原材料 | 第28页 |
| 2.1.2 CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷靶的制备 | 第28-29页 |
| 2.1.3 薄膜的制备流程 | 第29-31页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第31-34页 |
| 2.2.1 薄膜的结构和形貌表征 | 第31-32页 |
| 2.2.2 薄膜的成分表征 | 第32页 |
| 2.2.3 薄膜的电学性能表征 | 第32-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 应变控制的CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜 | 第36-58页 |
| 3.1 高度取向CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的共生生长 | 第36-40页 |
| 3.1.1 薄膜的结构与形貌 | 第36-38页 |
| 3.1.2 薄膜的化学成分 | 第38-40页 |
| 3.2 厚度对CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的影响 | 第40-46页 |
| 3.2.1 晶体结构 | 第40-42页 |
| 3.2.2 介电特性 | 第42-43页 |
| 3.2.3 铁电特性 | 第43-46页 |
| 3.3 MgO基底取向对CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的影响 | 第46-49页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第46-47页 |
| 3.3.2 介电特性 | 第47页 |
| 3.3.3 铁电特性 | 第47-49页 |
| 3.4 STO基底取向对CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的影响 | 第49-57页 |
| 3.4.1 晶体结构 | 第49-50页 |
| 3.4.2 微观形貌 | 第50-51页 |
| 3.4.3 介电特性 | 第51-52页 |
| 3.4.4 铁电特性 | 第52-55页 |
| 3.4.5 压电特性 | 第55-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜在硅上的共生生长 | 第58-68页 |
| 4.1 利用YSZ增进CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的取向共生生长 | 第58-61页 |
| 4.1.1 晶体结构 | 第59页 |
| 4.1.2 介电特性 | 第59-60页 |
| 4.1.3 铁电特性 | 第60-61页 |
| 4.2 CaBi_2Nb_2O_9-Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的中低温制备 | 第61-66页 |
| 4.2.1 晶体结构 | 第61-62页 |
| 4.2.2 微观形貌 | 第62-63页 |
| 4.2.3 介电特性 | 第63-64页 |
| 4.2.4 铁电特性 | 第64-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69页 |
| 5.3 创新点 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 攻读硕士学位论文期间发表的学术论文 | 第84-85页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第85页 |
