| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 ZnO基薄膜 | 第9-12页 |
| 1.2.1 ZnO的结构和基本特性 | 第9-10页 |
| 1.2.2 电学性质 | 第10页 |
| 1.2.3 ZnO的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 ZnO薄膜的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.3.1 分子束外延 | 第12页 |
| 1.3.2 化学气相沉积 | 第12页 |
| 1.3.3 脉冲激光沉积 | 第12-13页 |
| 1.3.4 溶胶-凝胶法 | 第13页 |
| 1.3.5 磁控溅射 | 第13-14页 |
| 1.4 ZnO薄膜生长研究现状 | 第14-18页 |
| 1.4.1 磁控溅射制备工艺的影响 | 第14-15页 |
| 1.4.2 基底的影响 | 第15-17页 |
| 1.4.3 缓冲层的影响 | 第17页 |
| 1.4.4 表面极性的影响 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究目的和研究内容 | 第18-20页 |
| 2 AZO薄膜的制备及分析方法 | 第20-30页 |
| 2.1 磁控溅射方法制备AZO薄膜 | 第20-22页 |
| 2.1.1 反应溅射的原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 基底处理 | 第21页 |
| 2.1.3 薄膜样品的制备 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第23页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第24页 |
| 2.2.4 四探针测量仪 | 第24-25页 |
| 2.3 相变晶体学理论 | 第25-29页 |
| 2.3.1 O点阵理论 | 第25-27页 |
| 2.3.2 重位点阵 | 第27-28页 |
| 2.3.3 强制重位点阵模型 | 第28页 |
| 2.3.4 近重合位置模型 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 沉积参数对AZO薄膜结构和电学性能的影响 | 第30-41页 |
| 3.1 基底温度 | 第30-32页 |
| 3.2 溅射功率 | 第32-34页 |
| 3.3 工作气压 | 第34-36页 |
| 3.4 溅射时间 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 Si基底取向对AZO薄膜影响 | 第41-55页 |
| 4.1 实验过程 | 第41-42页 |
| 4.2 实验结果 | 第42-47页 |
| 4.2.1 Si基底取向对AZO薄膜结构和形貌影响 | 第43-46页 |
| 4.2.2 Si基底取向对AZO薄膜电学性能影响 | 第46-47页 |
| 4.3 计算与讨论 | 第47-53页 |
| 4.3.1 计算过程 | 第48-49页 |
| 4.3.2 计算结果 | 第49-53页 |
| 4.3.3 分析讨论 | 第53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |