| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-23页 |
| 1.1 透明导电氧化物(TCO)薄膜 | 第8-10页 |
| 1.1.1 二氧化锡(SnO_2)基透明导电薄膜 | 第8-9页 |
| 1.1.2 氧化铟(In2O_3)基透明导电薄膜 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化锌(ZnO)基透明导电薄膜 | 第10-22页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 ZnO薄膜的光学性能 | 第11-12页 |
| 1.2.3 ZnO薄膜的电学性能 | 第12页 |
| 1.2.4 ZnO基透明导电薄膜的掺杂 | 第12-14页 |
| 1.2.5 ZnO基透明导电薄膜的应用 | 第14-17页 |
| 1.2.6 ZnO基透明导电薄膜的制备 | 第17-22页 |
| 1.3 本文的选题依据和研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 TZO薄膜的制备和表征方法 | 第23-31页 |
| 2.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第23-27页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积的原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积的特点 | 第24-25页 |
| 2.1.3 实验设备 | 第25-27页 |
| 2.2 实验原料及生长工艺 | 第27-29页 |
| 2.2.1 靶材的制备 | 第27页 |
| 2.2.2 衬底制备及其清洗 | 第27页 |
| 2.2.3 薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 2.3 表征方法 | 第29-31页 |
| 第三章 TZO薄膜的结构和光电性能 | 第31-56页 |
| 3.1 Ti含量对TZO薄膜性能的影响 | 第31-37页 |
| 3.1.1 Ti含量对TZO薄膜的成分及结构的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.2 Ti含量对TZO薄膜电学性能的影响 | 第34-35页 |
| 3.1.3 Ti含量对TZO薄膜光学性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.1.4 本节小结 | 第36-37页 |
| 3.2 衬底温度对TZO薄膜性能的影响 | 第37-44页 |
| 3.2.1 衬底温度对TZO薄膜的结构及表面形貌的影响 | 第38-41页 |
| 3.2.2 衬底温度对TZO薄膜电学性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.2.3 衬底温度对TZO薄膜光学性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.4 本节小结 | 第43-44页 |
| 3.3 氧气压强对TZO薄膜性能的影响 | 第44-50页 |
| 3.3.1 氧气压强对TZO薄膜结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.2 氧气压强对TZO薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 氧气压强对TZO薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.4 本节小结 | 第48-50页 |
| 3.4 沉积时间对TZO薄膜性能的影响 | 第50-56页 |
| 3.4.1 沉积时间对TZO薄膜结构的影响 | 第51-53页 |
| 3.4.2 沉积时间对TZO薄膜电学性能的影响 | 第53-54页 |
| 3.4.3 沉积时间对TZO薄膜光学性能的影响 | 第54页 |
| 3.4.4 本节小结 | 第54-56页 |
| 第四章 结论与展望 | 第56-59页 |
| 4.1 结论 | 第56-58页 |
| 4.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |