| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第11-12页 |
| 1.2 Hall效应 | 第12-14页 |
| 1.2.1 自旋Hall效应 | 第12页 |
| 1.2.2 量子自旋Hall效应 | 第12-14页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第14-15页 |
| 1.4 Bi_2Se_3研究现状 | 第15页 |
| 1.5 超导体 | 第15-18页 |
| 1.5.1 超导材料的基本特性 | 第15-17页 |
| 1.5.2 FeSe超导体 | 第17-18页 |
| 1.6 本文思路及主要内容 | 第18-19页 |
| 第2章 样品制备和测试手段 | 第19-26页 |
| 2.1 样品制备 | 第19-21页 |
| 2.1.1 Bi_2Se_3的掺杂样品制备过程 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Bi_2Se_3与FeSe复合样品的制备 | 第20-21页 |
| 2.2 样品测试手段 | 第21-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第21-22页 |
| 2.2.2 激光拉曼光谱仪 | 第22页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.4 等离子体发射光谱仪 | 第23页 |
| 2.2.5 电输运分析 | 第23-24页 |
| 2.2.6 磁性能分析 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 Li、Ir、Pb掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第26-45页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 Li掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第26-34页 |
| 3.2.1 Li掺杂Bi_2Se_3样品的制备 | 第27页 |
| 3.2.2 Li掺杂Bi_2Se_3样品的结构分析 | 第27-28页 |
| 3.2.3 Li掺杂Bi_2Se_3样品的微观形貌分析 | 第28-29页 |
| 3.2.4 Li掺杂Bi_2Se_3样品的电磁输运特性分析 | 第29-34页 |
| 3.2.5 Li掺杂Bi_2Se_3总结 | 第34页 |
| 3.3 Ir掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第34-40页 |
| 3.3.1 Ir掺杂Bi_2Se_3样品的制备 | 第35页 |
| 3.3.2 Ir掺Bi_2Se_3样品的结构和形貌分析 | 第35-38页 |
| 3.3.3 Ir掺杂Bi_2Se_3的电输运行为分析 | 第38-39页 |
| 3.3.4 Ir掺杂Bi_2Se_3总结 | 第39-40页 |
| 3.4 Pb掺杂Bi_2Se_3的性能研究 | 第40-43页 |
| 3.4.1 Pb掺杂Bi_2Se_3样品的制备 | 第40页 |
| 3.4.2 Pb掺杂Bi_2Se_3样品的结构和形貌分析 | 第40-42页 |
| 3.4.3 Pb掺杂Bi_2Se_3样品的电输运行为分析 | 第42-43页 |
| 3.4.4 Pb掺杂Bi_2Se_3总结 | 第43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 Bi_2Se_3与FeSe复合样品的研究 | 第45-55页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 Bi_2Se_3为主体复合样品的性能分析 | 第45-50页 |
| 4.2.1 Bi_2Se_3为主体复合样品的制备 | 第45-46页 |
| 4.2.2 FeSe多晶样品性能分析 | 第46-48页 |
| 4.2.3 Bi_2Se_3为主体复合样品的结构和形貌分析 | 第48-49页 |
| 4.2.4 Bi_2Se_3为主体复合样品的电磁输运性质 | 第49-50页 |
| 4.3 FeSe为主体复合样品的性能研究 | 第50-54页 |
| 4.3.1 FeSe为主体复合样品的制备 | 第50-51页 |
| 4.3.2 FeSe为主体复合样品的性能分析 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第62页 |
