| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 第一节 自旋电子学 | 第14-16页 |
| 1.1.1 自旋电子学简介 | 第14页 |
| 1.1.2 磁性半导体 | 第14-16页 |
| 1.1.3 ZnO基磁性半导体 | 第16页 |
| 第二节 自旋电子学现象 | 第16-21页 |
| 1.2.1 巨磁电阻效应 | 第16-18页 |
| 1.2.2 隧穿磁电阻 | 第18-19页 |
| 1.2.3 电致阻变效应 | 第19-20页 |
| 1.2.4 交换偏置现象 | 第20-21页 |
| 第三节 本文的研究动机和研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 样品制备与表征方法 | 第24-36页 |
| 第一节 溅射镀膜技术 | 第24-29页 |
| 2.1.1 溅射镀膜概述 | 第24-25页 |
| 2.1.2 直流二极溅射 | 第25-26页 |
| 2.1.3 射频溅射 | 第26-27页 |
| 2.1.4 磁控溅射 | 第27-29页 |
| 第二节 JGP560CI型超高真空磁控溅射仪 | 第29-30页 |
| 第三节 样品分析测试技术及设备 | 第30-36页 |
| 2.3.1 超导量子干涉仪 | 第30-32页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪 | 第32-33页 |
| 2.3.3 其它常见的测量分析技术和设备 | 第33-36页 |
| 第三章 集隧穿磁电阻和电致阻变效应于一体的磁性隧道结 | 第36-48页 |
| 第一节 引言 | 第36-37页 |
| 第二节 磁性隧道结的制备 | 第37-39页 |
| 3.2.1 衬底处理 | 第37页 |
| 3.2.2 金属掩膜法 | 第37-38页 |
| 3.2.3 Cr/Ag/Co/CoO-ZnO/Co/Ag样品的制备 | 第38-39页 |
| 第三节 隧穿磁电阻和电致阻变效应的测量与分析 | 第39-46页 |
| 3.3.1 电致阻变效应 | 第39-40页 |
| 3.3.2 隧穿磁电阻 | 第40-42页 |
| 3.3.3 电致阻变机理 | 第42-44页 |
| 3.3.4 CoO-ZnO存在形式的证明 | 第44-46页 |
| 第四节 总结 | 第46-48页 |
| 第四章 可调控的CoO_(1-v)非晶薄膜的磁性和磁输运性质 | 第48-60页 |
| 第一节 引言 | 第48-49页 |
| 第二节 非晶复合CoO_(1-v)薄膜的制作及处理方法 | 第49-50页 |
| 第三节 非晶CoO_(1-v)薄膜磁性和输运性质 | 第50-59页 |
| 4.3.1 磁性 | 第50-52页 |
| 4.3.2 电阻率及磁电阻 | 第52-55页 |
| 4.3.3 霍尔效应 | 第55-56页 |
| 4.3.4 热退火处理 | 第56-58页 |
| 4.3.5 多层膜结构 | 第58-59页 |
| 第四节 总结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 第一节 论文的主要内容与结论 | 第60页 |
| 第二节 论文创新与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 参加的学术会议 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 附录 | 第71-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |
