| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 磁光薄膜材料研进展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 Co掺杂的CeO_(2?δ)材料 | 第11-12页 |
| 1.2.2 尖晶石材料 | 第12页 |
| 1.2.3 钙钛矿氧化物材料 | 第12-13页 |
| 1.2.4 稀土正铁氧体材料 | 第13-14页 |
| 1.2.5 钇铁石榴石材料 | 第14-15页 |
| 1.3 掺杂型钇铁石榴石磁光薄膜的研究现状 | 第15-22页 |
| 1.3.1 钇铁石榴石晶格结构和离子取代规律 | 第15-17页 |
| 1.3.2 A位掺杂型钇铁石榴石薄膜的特点及研究现状 | 第17-21页 |
| 1.3.3 A位、B位复合掺杂型钇铁石榴石薄膜的特点及研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 钇铁石榴石薄膜制备方法 | 第22-26页 |
| 1.4.1 液相外延法 | 第22页 |
| 1.4.2 化学气相沉积法 | 第22-23页 |
| 1.4.3 溅射沉积法 | 第23-24页 |
| 1.4.4 脉冲激光沉积法 | 第24-26页 |
| 1.5 集成光隔离器用磁光薄膜存在的问题 | 第26-27页 |
| 1.5.1 薄膜材料选择 | 第26页 |
| 1.5.2 薄膜制备工艺 | 第26-27页 |
| 1.6 本论文的研究目的和主要内容 | 第27-28页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第28-37页 |
| 2.1 试验材料 | 第28页 |
| 2.2 靶材的制备 | 第28-30页 |
| 2.3 磁光薄膜与光隔离器件的制备 | 第30-33页 |
| 2.3.1 薄膜的结构设计 | 第30页 |
| 2.3.2 脉冲激光沉积工艺设计 | 第30-32页 |
| 2.3.3 退火工艺设计 | 第32页 |
| 2.3.4 光隔离器的沉积制备 | 第32-33页 |
| 2.4 磁光薄膜与器件的微观组织结构表征 | 第33-35页 |
| 2.4.1 薄膜物相分析 | 第33页 |
| 2.4.2 薄膜元素价态分析 | 第33页 |
| 2.4.3 薄膜形貌分析 | 第33-35页 |
| 2.5 磁光薄膜与器件的性能测试 | 第35-37页 |
| 2.5.1 室温磁性能测试 | 第35页 |
| 2.5.2 光透过率测试 | 第35页 |
| 2.5.3 磁光法拉第旋转角测试 | 第35页 |
| 2.5.4 光隔离器的性能测试 | 第35-37页 |
| 第3章A位掺杂钇铁石榴石磁光薄膜的制备与组织性能研究 | 第37-62页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 Ce_(1.0)Y_2Fe_5O_(12)铁石榴石薄膜的组织与性能研究 | 第37-48页 |
| 3.2.1 沉积次序对Ce_(1.0)Y_2Fe_5O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第37-42页 |
| 3.2.2 沉积温度对Ce_(1.0)Y_2Fe_5O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第42-48页 |
| 3.3 Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_5O_(12)铁石榴石薄膜组织与性能研究 | 第48-61页 |
| 3.3.1 沉积次序对Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_5O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第48-56页 |
| 3.3.2 沉积温度对Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_5O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第56-59页 |
| 3.3.3 层厚比例对Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_5O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 复合掺杂钇铁石榴石磁光薄膜的制备与组织性能研究 | 第62-85页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 Ce_(1.0)Y_2Fe_4Ga_1O_(12)铁石榴石薄膜组织与性能研究 | 第62-72页 |
| 4.2.1 沉积次序对Ce_(1.0)Y_2Fe_4Ga_1O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第62-67页 |
| 4.2.2 镓（Ga）元素B位掺杂对Ce_(1.0)Y_2Fe_5O_(12)薄膜的影响 | 第67-70页 |
| 4.2.3 不同基体对Ce_(1.0)Y_2Fe_4Ga_1O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第70-72页 |
| 4.3 Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_4Ga_1O_(12)钇铁石榴石薄膜组织与性能研究 | 第72-82页 |
| 4.3.1 沉积次序对Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_4Ga_1O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第72-78页 |
| 4.3.2 镓（Ga）元素B位掺杂Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_5O_(12)薄膜的影响 | 第78-80页 |
| 4.3.3 不同基体对Bi_(0.5)Ce_(0.5)Y_2Fe_4Ga_1O_(12)薄膜组织及性能影响 | 第80-82页 |
| 4.4 波导器件上沉积A位、B位复合掺杂钇铁石榴石薄膜性能研究 | 第82-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-85页 |
| 结论 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
