| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 综述 | 第8-9页 |
| 1.2 磁性存储 | 第9-11页 |
| 1.3 压电效应和磁电复合材料 | 第11-17页 |
| 1.3.1 压电效应 | 第11-12页 |
| 1.3.2 磁电复合材料 | 第12-17页 |
| 1.3.2.1 磁电效应 | 第12-13页 |
| 1.3.2.2 磁致伸缩效应 | 第13-15页 |
| 1.3.2.3 磁电复合材料 | 第15-17页 |
| 1.4 电场调控磁性 | 第17-20页 |
| 1.5 本论文的主要思路和内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 实验技术 | 第23-32页 |
| 2.1 AlN薄膜的制备技术 | 第23-24页 |
| 2.1.1 化学气相沉积 | 第23页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第23页 |
| 2.1.3 激光脉冲沉积 | 第23-24页 |
| 2.1.4 反应磁控溅射 | 第24页 |
| 2.2 样品的表征和测量 | 第24-31页 |
| 2.2.1 X射线衍射—XRD | 第24-25页 |
| 2.2.2 原子力显微镜—AFM | 第25-26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜—SEM | 第26-27页 |
| 2.2.4 振动样品磁强计—VSM | 第27-28页 |
| 2.2.5 电子自旋共振—ESR | 第28-29页 |
| 2.2.6 各向异性磁电阻测试仪—AMR | 第29页 |
| 2.2.7 磁光克尔效应测量仪—NanoMOKE | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 C轴取向AlN薄膜的制备及复合材料的界面探究 | 第32-49页 |
| 3.1 直流和射频溅射制备C轴取向AlN薄膜 | 第32-36页 |
| 3.2 AlN/FeNi复合磁电材料的制备和界面探究 | 第36-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 电场调控AlN/FeNi异质结的磁矩翻转 | 第49-55页 |
| 4.1 利用磁光克尔效应研究磁电调控 | 第49-51页 |
| 4.2 电场调控磁电阻 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-56页 |
| 5.1 工作总结 | 第55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 附录 Gd掺杂FeCo薄膜的磁性和磁化翻转机制研究 | 第56-64页 |
| 1.样品制备 | 第56-57页 |
| 2.样品表征和分析 | 第57-62页 |
| 3.小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在学期间的研究成果 | 第65页 |
