摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
主要符号对照表 | 第9-11页 |
第1章 引言 | 第11-30页 |
1.1 无定形有机半导体中的载流子传输 | 第12-19页 |
1.1.1 有机半导体中的载流子转移模型 | 第13-14页 |
1.1.2 无定形有机半导体中的迁移率模型 | 第14-15页 |
1.1.3 无定形有机半导体传输理论研究进展 | 第15-19页 |
1.2 影响无定形有机半导体迁移率的因素 | 第19-23页 |
1.2.1 分子结构和分子堆积 | 第19页 |
1.2.2 温度 | 第19页 |
1.2.3 电场强度 | 第19-20页 |
1.2.4 无序度 | 第20-22页 |
1.2.5 载流子浓度 | 第22页 |
1.2.6 缺陷和陷阱 | 第22-23页 |
1.3 有机半导体迁移率测试方法 | 第23-27页 |
1.3.1 飞行时间(TOF)法 | 第23-25页 |
1.3.2 暗注入-空间电荷限制电流(DI-SCLC)法 | 第25-26页 |
1.3.3 空间电荷限制电流(SCLC)法 | 第26-27页 |
1.3.4 场效应晶体管(OTFT)法 | 第27页 |
1.4 无定形有机半导体载流子传输研究面临的问题 | 第27-29页 |
1.5 论文工作思路及主要内容 | 第29-30页 |
第2章 计算方法 | 第30-40页 |
2.1 载流子转移速率计算 | 第30-34页 |
2.1.1 Miller-Abrahams方程 | 第30页 |
2.1.2 Marcus方程 | 第30-32页 |
2.1.2.1 重组能的计算 | 第30-31页 |
2.1.2.2 电荷转移积分计算 | 第31-32页 |
2.1.3 非绝热分子动力学 | 第32-34页 |
2.2 迁移率计算和器件模拟 | 第34-40页 |
2.2.1 蒙特卡罗方法 | 第34-36页 |
2.2.2 电极注入 | 第36-37页 |
2.2.3 载流子间相互作用 | 第37-38页 |
2.2.4 主方程方法 | 第38-40页 |
第3章 实验方法 | 第40-44页 |
3.1 试剂 | 第40页 |
3.2 器件的制备 | 第40-42页 |
3.2.1 基片清洗 | 第40-41页 |
3.2.2 真空蒸镀法制备有机小分子薄膜和金属薄膜电极 | 第41页 |
3.2.3 器件的封装 | 第41-42页 |
3.3 飞行时间法实验 | 第42-44页 |
第4章 能量无序度对无定形小分子半导体中的载流子传输和电流特性的影响 | 第44-70页 |
4.1 研究背景 | 第44-46页 |
4.2 瞬态电流 | 第46-56页 |
4.2.1 能量无序度对载流子传输的影响 | 第46-48页 |
4.2.2 空间电荷扰动作用对电流和迁移率的影响 | 第48-52页 |
4.2.3 瞬态空间电荷限制电流的峰时间与TOF法中渡越时间的关系 | 第52-56页 |
4.3 稳态电流 | 第56-68页 |
4.3.1 单空穴器件内部的物理特性和能量无序度的影响 | 第57-61页 |
4.3.2 SCLC法和TOF法中迁移率的关系 | 第61-63页 |
4.3.3 过渡金属氧化物掺杂对载流子传输和迁移率的影响 | 第63-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-70页 |
第5章 基于晶体结构计算小分子有机半导体的迁移率 | 第70-88页 |
5.1 研究背景 | 第70-71页 |
5.2 体系选择 | 第71-73页 |
5.3 重组能计算 | 第73-77页 |
5.4 传输通道的分析 | 第77-83页 |
5.5 迁移率计算和讨论 | 第83-87页 |
5.6 本章小结 | 第87-88页 |
第6章 无定形小分子有机半导体的迁移率和单空穴器件的电流计算 | 第88-104页 |
6.1 研究背景 | 第88-89页 |
6.2 计算ADN的迁移率 | 第89-93页 |
6.2.1 波恩-奥本海默分子动力学模拟无定形分子堆积 | 第89-90页 |
6.2.2 非绝热分子动力学计算载流子转移速率 | 第90-92页 |
6.2.3 迁移率的计算和讨论 | 第92-93页 |
6.3. 计算NPB的迁移率和电流电压曲线 | 第93-103页 |
6.3.1 通过分子动力学生成无定形结构 | 第94-95页 |
6.3.2 载流子转移速率的计算 | 第95-100页 |
6.3.3 蒙特卡罗模拟计算迁移率和电流电压曲线 | 第100-103页 |
6.4 本章小结 | 第103-104页 |
结论 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-120页 |
致谢 | 第120-122页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第122-123页 |