二维原子晶体材料的制备及流电耦合效应研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第19-28页 |
| 1.1 引言 | 第19页 |
| 1.2 研究进展 | 第19-27页 |
| 1.2.1 石墨烯的性质和应用 | 第19-24页 |
| 1.2.2 二维六方氮化硼的性质、应用及制备 | 第24-27页 |
| 1.3 本文的主要研究工作 | 第27-28页 |
| 第二章 二维原子晶体材料的CVD生长和表征 | 第28-39页 |
| 2.1 化学气相沉积系统 | 第28-31页 |
| 2.1.1 石墨烯CVD生长及转移 | 第28-30页 |
| 2.1.2 六方氮化硼CVD生长系统 | 第30-31页 |
| 2.2 表征系统 | 第31-39页 |
| 2.2.1 结构表征系统 | 第31-34页 |
| 2.2.2 物性表征系统 | 第34-39页 |
| 第三章 石墨烯的传统流致生电效应 | 第39-53页 |
| 3.1 石墨烯的气流致生电效应 | 第39-44页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第39-40页 |
| 3.1.2 结果和讨论 | 第40-44页 |
| 3.1.2.1 石墨烯和石墨的气流致生电效应对比 | 第40-41页 |
| 3.1.2.2 石墨烯气流致生电效应的调控 | 第41-44页 |
| 3.2 赝-液流致生电效应 | 第44-51页 |
| 3.2.1 研究背景 | 第44-45页 |
| 3.2.2 结果和讨论 | 第45-51页 |
| 3.2.2.1 实验样品及装置 | 第45-46页 |
| 3.2.2.2 电极的作用 | 第46-50页 |
| 3.2.2.3 机理探讨 | 第50-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 石墨烯中的新型动电效应 | 第53-74页 |
| 4.1 石墨烯中的波动势 | 第53-65页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第53-54页 |
| 4.1.2 结果和讨论 | 第54-65页 |
| 4.1.2.1 石墨烯中的波动势现象 | 第54-55页 |
| 4.1.2.2 机理分析 | 第55-58页 |
| 4.1.2.3 影响因素 | 第58-62页 |
| 4.1.2.4 应用演示 | 第62-65页 |
| 4.2 石墨烯中的拖曳势 | 第65-73页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第65页 |
| 4.2.2 结果和讨论 | 第65-73页 |
| 4.2.2.1 石墨烯中的拖曳势现象 | 第65-67页 |
| 4.2.2.2 机理 | 第67-72页 |
| 4.2.2.3 应用 | 第72-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 单层六方氮化硼的可控生长及晶界 | 第74-91页 |
| 5.1 晶粒尺寸、形貌的可控生长及晶界刻蚀 | 第74-81页 |
| 5.1.1 研究背景 | 第74-75页 |
| 5.1.2 结果和讨论 | 第75-81页 |
| 5.1.2.1 单晶尺寸的可控 | 第75-77页 |
| 5.1.2.2 晶粒形貌的可控 | 第77-78页 |
| 5.1.2.3 晶界的刻蚀 | 第78-81页 |
| 5.2 锗表面单层六方氮化硼的定向生长 | 第81-90页 |
| 5.2.1 研究背景 | 第81-82页 |
| 5.2.2 结果和讨论 | 第82-90页 |
| 5.2.2.1 Ge表面h-BN的生长及转移 | 第82-84页 |
| 5.2.2.2 晶粒取向性 | 第84-87页 |
| 5.2.2.3 晶界及其摩擦、电学性能 | 第87-90页 |
| 5.3 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 三维六方氮化硼泡沫 | 第91-98页 |
| 6.1 研究背景 | 第91-92页 |
| 6.2 结果和讨论 | 第92-96页 |
| 6.2.1 h-BN泡沫的制备及结构 | 第92-93页 |
| 6.2.2 h-BN泡沫的热稳定性 | 第93-94页 |
| 6.2.3 h-BN泡沫的力学性能 | 第94-96页 |
| 6.2.4 h-BN泡沫的介电性能 | 第96页 |
| 6.3 本章小结 | 第96-98页 |
| 第七章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 7.1 主要工作总结 | 第98-99页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第113-114页 |
