| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11-14页 |
| 1.2 阻变器件简介 | 第14-19页 |
| 1.2.1 阻变器件的发展历史 | 第14-17页 |
| 1.2.2 阻变器件与忆阻器(memristor) | 第17-19页 |
| 1.2.3 氧化物阻变器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第19页 |
| 1.3 氧化物阻变器件的物理机制 | 第19-25页 |
| 1.3.1 ECM机制 | 第20-22页 |
| 1.3.2 VCM机制 | 第22-24页 |
| 1.3.3 H_2O对阻变机制的影响 | 第24-25页 |
| 1.4 神经突触模拟器件研究进展 | 第25-31页 |
| 1.4.1 大脑的结构与突触可塑性 | 第25-27页 |
| 1.4.2 神经突触可塑性机制 | 第27页 |
| 1.4.3 两端阻变器件模拟突触可塑性的进展 | 第27-30页 |
| 1.4.4 利用三端阻变器件拟突触可塑性的进展 | 第30-31页 |
| 1.5 α-MoO_3的基本物性 | 第31-33页 |
| 1.6 选题思路和内容安排 | 第33-35页 |
| 1.6.1 选题思路 | 第33-34页 |
| 1.6.2 论文内容安排 | 第34-35页 |
| 第二章 器件的制备和表征 | 第35-45页 |
| 2.1 样品制备方法 | 第35-36页 |
| 2.2 样品表征方法 | 第36-40页 |
| 2.3 器件的加工 | 第40-42页 |
| 2.4 器件的电学性质表征 | 第42-45页 |
| 第三章 Ag/α-MoO_3/FTO器件的阻变特性 | 第45-67页 |
| 3.1 前言 | 第45页 |
| 3.2 薄膜的制备和表征 | 第45-47页 |
| 3.3 器件ECM阻变特性和机制 | 第47-51页 |
| 3.3.1 器件ECM阻变特性 | 第47-49页 |
| 3.3.2 器件ECM阻变机制 | 第49-51页 |
| 3.4 器件VCM阻变特性 | 第51-53页 |
| 3.5 器件VCM阻变机制 | 第53-64页 |
| 3.5.1 不同环境气氛下器件的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第55-58页 |
| 3.5.2 不同阻态器件的微区XPS分析 | 第58-60页 |
| 3.5.3 器件VCM阻变机制 | 第60-64页 |
| 3.6 小结 | 第64-67页 |
| 第四章 应用Ag/α-MoO_3/FTO器件模拟神经突触可塑性 | 第67-83页 |
| 4.1 前言 | 第67-68页 |
| 4.2 器件电阻状态连续调控 | 第68-71页 |
| 4.2.1 电压扫描获得连续电阻状态 | 第68-69页 |
| 4.2.2 脉冲电压获得连续电阻状态 | 第69-71页 |
| 4.3 突触可塑性模拟 | 第71-78页 |
| 4.3.1 从短程记忆到长程记忆 | 第72-75页 |
| 4.3.2 激发频率依赖可塑性 | 第75-76页 |
| 4.3.3 激发时序依赖可塑性 | 第76-78页 |
| 4.4 器件突触可塑性机制 | 第78-81页 |
| 4.4.1 突触权重抑制过程 | 第78-79页 |
| 4.4.2 突触权重增强过程 | 第79-81页 |
| 4.5 小结 | 第81-83页 |
| 第五章 基于准二维α-MoO_3的神经突触晶体管 | 第83-99页 |
| 5.1 前言 | 第83-84页 |
| 5.2 器件的制备和结构表征 | 第84-87页 |
| 5.2.1 α-MoO_3单晶的制备和表征 | 第84-85页 |
| 5.2.2 二维α-MoO_3单晶薄片的制备 | 第85-86页 |
| 5.2.3 器件的加工 | 第86-87页 |
| 5.3 器件电性调控及其机制 | 第87-92页 |
| 5.3.1 器件的电学性质 | 第87-88页 |
| 5.3.2 器件电性调控的机制 | 第88-92页 |
| 5.4 器件的神经突触可塑性模拟 | 第92-98页 |
| 5.4.1 EPSC行为 | 第93-95页 |
| 5.4.2 双脉冲易化效应 | 第95-97页 |
| 5.4.3 从短程记忆效应到长程记忆效应 | 第97-98页 |
| 5.5 小结 | 第98-99页 |
| 第六章 结论和展望 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-117页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
