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石墨烯阵列场发射性能的研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 场发射研究第9-11页
    1.2 石墨烯简介第11-15页
        1.2.1 石墨烯的结构和性能第11-13页
        1.2.2 石墨烯的应用第13-15页
    1.3 石墨烯场发射阴极研究现状第15-20页
    1.4 论文研究意义和研究内容第20-21页
第二章 石墨烯场发射模拟计算第21-39页
    2.1 数值计算分析方法第22-26页
        2.1.1 电场的数值计算第22页
        2.1.2 阴极场致电子发射计算第22-24页
        2.1.3 电子轨迹数值计算第24-25页
        2.1.4 数值计算过程设计第25-26页
    2.2 直立石墨烯环物理模型第26-30页
    2.3 依附石英柱生长的直立石墨烯环物理模型第30-33页
    2.4 依附石英凹槽生长的直立石墨烯环物理模型第33-35页
    2.5 三种模型的对比分析第35-37页
    2.6 本章小结第37-39页
第三章 石墨烯的制备及表征方法第39-46页
    3.1 石墨烯的制备方法第39-41页
        3.1.1 机械剥离法第39页
        3.1.2 外延生长法第39页
        3.1.3 化学气相沉积法第39-40页
        3.1.4 氧化还原法第40页
        3.1.5 液相剥离法第40-41页
        3.1.6 其他方法第41页
    3.2 石墨烯的表征方法第41-45页
        3.2.1 光学显微镜第42页
        3.2.2 扫描电子显微镜第42-43页
        3.2.3 拉曼光谱仪第43-44页
        3.2.4 透射电子显微镜第44页
        3.2.5 原子力显微镜第44-45页
    3.3 本章小结第45-46页
第四章 基底结构的制备第46-53页
    4.1 磁控溅射镀膜技术第46页
    4.2 光刻技术第46-47页
    4.3 铜和钛的湿法蚀刻第47-48页
    4.4 基底结构设计第48-49页
    4.5 基底结构制作过程第49-51页
    4.6 本章小结第51-53页
第五章 CVD法制备石墨烯第53-59页
    5.1 实验设备第53-54页
    5.2 铜膜上生长石墨烯第54-56页
        5.2.1 实验过程第54页
        5.2.2 实验结果与讨论第54-56页
    5.3 CVD法制备直立石墨烯第56-58页
        5.3.1 实验过程第56-57页
        5.3.2 实验结果与讨论第57-58页
    5.4 本章小结第58-59页
第六章 总结第59-61页
致谢第61-63页
参考文献第63-69页
作者简介第69页

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