| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 Si_3N_4陶瓷概述 | 第9-11页 |
| 1.1.1 Si_3N_4晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 Si_3N_4陶瓷制备方法 | 第10-11页 |
| 1.2 Si_3N_4性能的影响因素 | 第11-16页 |
| 1.2.1 Si_3N_4粉体特征的影响 | 第11-13页 |
| 1.2.2 烧结助剂种类的影响 | 第13-14页 |
| 1.2.3 Si_3N_4烧结工艺的影响 | 第14-16页 |
| 1.3 本文研究目的与内容 | 第16-18页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第16-17页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验原料、设备与方法 | 第18-25页 |
| 2.1 实验设计 | 第18-19页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第18页 |
| 2.1.2 成分设计 | 第18-19页 |
| 2.2 实验设备及仪器 | 第19-20页 |
| 2.3 实验方法 | 第20-25页 |
| 2.3.1 粉料制备 | 第20-21页 |
| 2.3.2 成型工艺 | 第21页 |
| 2.3.3 烧结工艺 | 第21-23页 |
| 2.3.4 检测方法 | 第23-25页 |
| 第3章 无压烧结Si_3N_4陶瓷致密化、结构及性能的研究 | 第25-48页 |
| 3.1 低温预烧结Si_3N_4陶瓷的致密化分析 | 第25-33页 |
| 3.1.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷致密化的影响 | 第25-29页 |
| 3.1.2 保温时间对Si_3N_4陶瓷致密化的影响 | 第29-33页 |
| 3.2 低温预烧结Si_3N_4陶瓷的相组成分析 | 第33-36页 |
| 3.2.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷相变的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.2 保温时间对Si_3N_4陶瓷相变的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 烧结助剂含量对Si_3N_4陶瓷相变的影响 | 第36页 |
| 3.3 低温预烧结Si_3N_4陶瓷的显微结构分析 | 第36-41页 |
| 3.3.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 保温时间对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 烧结助剂含量对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 高温烧结Si_3N_4陶瓷的性能分析 | 第41-47页 |
| 3.4.1 高温烧结Si_3N_4陶瓷的致密化分析 | 第41-43页 |
| 3.4.2 高温烧结Si_3N_4陶瓷的显微结构分析 | 第43-44页 |
| 3.4.3 高温烧结Si_3N_4陶瓷的断裂韧性分析 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 气压烧结Si_3N_4陶瓷相变影响的研究 | 第48-62页 |
| 4.1 气压烧结Si_3N_4陶瓷的致密化分析 | 第49-53页 |
| 4.1.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷致密化的影响 | 第49-51页 |
| 4.1.2 氮气压力对Si_3N_4陶瓷致密化的影响 | 第51-53页 |
| 4.2 气压烧结Si_3N_4陶瓷的相组成分析 | 第53-58页 |
| 4.2.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷相变的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.2 氮气压力对Si_3N_4陶瓷相变的影响 | 第56-58页 |
| 4.3 气压烧结Si_3N_4陶瓷的显微结构分析 | 第58-61页 |
| 4.3.1 烧结温度对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响 | 第58-60页 |
| 4.3.2 氮气压力对Si_3N_4陶瓷显微结构的影响 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
