摘要 | 第12-14页 |
ABSTRACT | 第14-16页 |
第一章 绪论 | 第17-39页 |
1.1 镍基高温合金的服役环境及发展历程 | 第17-21页 |
1.1.1 镍基高温合金的服役环境 | 第17-18页 |
1.1.2 镍基高温合金的发展历程 | 第18-21页 |
1.2 镍基高温合金的蠕变行为 | 第21-28页 |
1.2.1 镍基高温合金的蠕变过程 | 第21-22页 |
1.2.2 合金成分及γ'相体积分数对蠕变行为的影响 | 第22页 |
1.2.3 蠕变过程中位错滑移系 | 第22-23页 |
1.2.4 温度对蠕变行为的影响 | 第23-24页 |
1.2.5 蠕变过程中γ'相筏排化及位错组态 | 第24-28页 |
1.3 γ'相的变形机制 | 第28-35页 |
1.3.1 γ'相的有序结构 | 第28页 |
1.3.2 γ'相的变形机制 | 第28-31页 |
1.3.3 γ'相中的面缺陷 | 第31-33页 |
1.3.4 γ'相内的位错分解反应 | 第33-35页 |
1.4 位错芯部结构 | 第35-36页 |
1.5 研究目的和研究内容 | 第36-39页 |
1.5.1 研究目的 | 第36-37页 |
1.5.2 研究内容 | 第37-39页 |
第二章 研究方案及设备仪器 | 第39-45页 |
2.1 合金成分设计 | 第39页 |
2.2 单晶试棒热处理工艺及蠕变试验 | 第39-40页 |
2.3 样品的制备 | 第40-42页 |
2.3.1 样品制备 | 第40-41页 |
2.3.2 微观组织和元素分布 | 第41-42页 |
2.4 微观结构观察,位错芯区原子结构观察 | 第42-45页 |
第三章 多元素交互作用下高温合金高温低应力下蠕变性能 | 第45-59页 |
3.1 Cr、Ru元素单独和交互作用下合金的蠕变性能 | 第45-48页 |
3.1.1 蠕变性能 | 第45-47页 |
3.1.2 蠕变1%后γ'相形貌 | 第47-48页 |
3.2 蠕变1%后实验合金中位错组态及γ/γ'界面位错 | 第48-51页 |
3.3 高Cr合金添加Ru元素蠕变性能降低 | 第51-57页 |
3.3.1 Ru对合金元素逆分配行为的影响 | 第52-54页 |
3.3.2 Ru对微观结构稳定性的影响 | 第54-55页 |
3.3.3 TCP的析出 | 第55-57页 |
3.4 镍基单晶高温合金高温低应力蠕变过程中位错的演变规律 | 第57-58页 |
3.5 本章小结 | 第58-59页 |
第四章 γ'相内超位错及芯区结构 | 第59-79页 |
4.1 γ'相内超位错 | 第60-61页 |
4.2 γ'相内超分位错的位错锁组态 | 第61-71页 |
4.2.1 位错分解反应 | 第61-66页 |
4.2.2 不全位错芯区应变场 | 第66-68页 |
4.2.3 位错锁强化机制 | 第68-71页 |
4.3 γ'相内超分位错的扩展位错组态 | 第71-76页 |
4.3.1 扩展位错分解反应 | 第71-75页 |
4.3.2 扩展位错强化机制 | 第75页 |
4.3.3 扩展位错和位错锁的对比 | 第75-76页 |
4.4 本章小结 | 第76-79页 |
第五章 γ相位错及芯部结构 | 第79-97页 |
5.1 错配位错 | 第80-86页 |
5.1.1 错配位错的形貌 | 第80-82页 |
5.1.2 错配位错的芯部结构 | 第82-84页 |
5.1.3 错配位错的芯部畸变区 | 第84-86页 |
5.1.4 错配位错的"V"形强化机制 | 第86页 |
5.2 滑移位错 | 第86-92页 |
5.2.1 滑移位错形貌及K-W强化机制 | 第86-89页 |
5.2.2 滑移位错的分布 | 第89-92页 |
5.3 扩展位错及芯部结构 | 第92-96页 |
5.3.1 扩展位错的形貌 | 第92-93页 |
5.3.2 扩展位错的芯部结构 | 第93-96页 |
5.4 本章小结 | 第96-97页 |
第六章 γ/γ'界面结构及界面位错网结构 | 第97-121页 |
6.1 蠕变过程中锯齿形γ/γ'界面结构 | 第98-103页 |
6.2 蠕变过程γ/γ'界面位错网组态 | 第103-109页 |
6.2.1 界面位错网组态 | 第103-107页 |
6.2.2 界面位错特征 | 第107-109页 |
6.3 位错网的空间结构 | 第109-112页 |
6.3.1 位错网内位错原子结构 | 第109-110页 |
6.3.2 类四边形位错网的可能空间结构 | 第110-112页 |
6.4 界面超位错a[100]原子结构 | 第112-119页 |
6.4.1 界面a<100>位错的形成 | 第114-115页 |
6.4.2 a<100>界面位错的芯部结构 | 第115-117页 |
6.4.3 位错偶极子的形成机制 | 第117-119页 |
6.5 本章小结 | 第119-121页 |
第七章 结论和创新点 | 第121-123页 |
7.1 主要结论 | 第121-122页 |
7.2 主要创新点 | 第122-123页 |
参考文献 | 第123-141页 |
致谢 | 第141-143页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第143-144页 |
附录1 | 第144-151页 |
附录2 | 第151-157页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第157页 |