| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第9页 |
| ·低功耗集成电路研究现状 | 第9-10页 |
| ·论文的研究内容及安排 | 第10-12页 |
| 2 存储器电路设计 | 第12-43页 |
| ·静态随机存储器（SRAM）电路设计 | 第12-35页 |
| ·传统CMOS 结构SRAM 电路设计 | 第12-25页 |
| ·存储阵列单元 | 第13-18页 |
| ·读/写驱动 | 第18-20页 |
| ·地址译码器 | 第20-22页 |
| ·地址变化探测电路 | 第22-24页 |
| ·传统SRAM 电路HSPICE 仿真 | 第24-25页 |
| ·单相绝热SRAM 电路设计 | 第25-32页 |
| ·单相绝热CAL 逻辑电路 | 第25-28页 |
| ·单项绝热CAL 结构SRAM | 第28-31页 |
| ·改进CAL 结构32×32 SRAM 的HSPICE 仿真 | 第31-32页 |
| ·电路整体版图与能耗比较 | 第32-35页 |
| ·内容可寻址存储器（CAM）电路设计 | 第35-42页 |
| ·传统CMOS 结构CAM 设计 | 第35-38页 |
| ·单相绝热CAM 设计 | 第38-41页 |
| ·能耗比较 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 3 漏电流功耗 | 第43-48页 |
| ·漏电流的来源 | 第43-45页 |
| ·亚阈值漏电流 | 第43-44页 |
| ·栅氧化层遂穿漏电流 | 第44页 |
| ·逆偏压BTBT 漏电流 | 第44页 |
| ·漏电流之间的关系 | 第44-45页 |
| ·绝热CAL 电路中漏功耗的计算 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 低漏功耗 SRAM 电路设计 | 第48-66页 |
| ·功控多阈值方案 | 第48-56页 |
| ·多阈值技术 | 第48-49页 |
| ·功控技术 | 第49-50页 |
| ·功控多阈值技术 | 第50-53页 |
| ·在改进CAL SRAM 电路中应用功控多阈值技术 | 第53-56页 |
| ·低漏功耗存储核心设计 | 第56-61页 |
| ·门控技术 | 第56-57页 |
| ·呆滞快取技术 | 第57-61页 |
| ·工作状态下的低漏功耗SRAM 设计 | 第61-65页 |
| ·双阈值技术 | 第61-63页 |
| ·沟道长度偏置技术 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 5 近阈值 SRAM | 第66-72页 |
| ·近阈值技术 | 第66-69页 |
| ·近阈值技术在SRAM 中的应用 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 6 总结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 在学研究成果 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |