| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·研究现状 | 第13-16页 |
| ·研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础 | 第18-26页 |
| ·基态密度泛函理论方法 | 第18-22页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第18-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第20页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第20-22页 |
| ·近似密度泛函 | 第22-23页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation) | 第22-23页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation) | 第23页 |
| ·平面波基组和赝势 | 第23-26页 |
| 第三章 缺陷衬底BC_3对石墨烯电子性质的影响 | 第26-34页 |
| ·石墨烯/BC_3异质结的本征性质 | 第26-29页 |
| ·层间距与平面应力对异质结电子性质的影响 | 第29-31页 |
| ·石墨烯/BC_3异质结费米速度与有效质量的研究 | 第31-33页 |
| ·本章小节 | 第33-34页 |
| 第四章 WS2衬底对石墨烯性质的影响 | 第34-42页 |
| ·石墨烯/WS_2异质结的本征性质 | 第34-38页 |
| ·WS2衬底对双层石墨烯的影响 | 第38-40页 |
| ·本章小节 | 第40-42页 |
| 第五章 硅烯在单层ZNS衬底上的新奇电子特性 | 第42-50页 |
| ·硅烯/ZNS异质结本征性质的研究 | 第42-46页 |
| ·层间距与平面应力对异质结电子性质的影响 | 第46-48页 |
| ·硅烯/ZNS异质结电子有效质量的研究 | 第48-49页 |
| ·本章小节 | 第49-50页 |
| 第六章 硅烯在单层MOSE_2上的新奇电子特性 | 第50-58页 |
| ·硅烯/MOSE_2异质结本征性质的研究 | 第50-53页 |
| ·外部因素对异质结电子性质的影响 | 第53-55页 |
| ·硅烯/MOSE_2异质结电子有效质量的研究 | 第55-57页 |
| ·本章小节 | 第57-58页 |
| 第七章 碱金属、碱土金属、第三主族金属、3D金属原子吸附对锗烯电子性质和磁性影响 | 第58-72页 |
| ·吸附体系能量和几何性质的研究 | 第58-63页 |
| ·电子性质和磁学性质的研究 | 第63-68页 |
| ·电偶极矩和功函数的研究 | 第68-69页 |
| ·本章小节 | 第69-72页 |
| 第八章 氮化铝纳米面氯化的研究 | 第72-78页 |
| ·氯化氮化铝纳米面的电子和磁学性质 | 第72-77页 |
| ·本章小节 | 第77-78页 |
| 第九章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 附录 | 第90-91页 |
