| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-10页 |
| 第2章 研究背景 | 第10-19页 |
| ·生长技术简介 | 第10-12页 |
| ·溶液法 | 第10页 |
| ·气相法 | 第10-11页 |
| ·固相法 | 第11页 |
| ·熔体法 | 第11-12页 |
| ·微下拉法生长技术的研究现状 | 第12-14页 |
| ·微下拉法生长设备的研究现状 | 第14-15页 |
| ·本论文选题依据和研究内容 | 第15-19页 |
| ·选题依据 | 第15-17页 |
| ·研究内容 | 第17-19页 |
| 第3章 微下拉法生长设备研制 | 第19-33页 |
| ·微下拉法生长设备的原理 | 第19-20页 |
| ·生长设备硬件设计 | 第20-22页 |
| ·温度系统控制单元 | 第22-30页 |
| ·自动控温模式 | 第22-23页 |
| ·手动控温模式 | 第23-24页 |
| ·典型的μ-PD电阻式加热系统 | 第24-26页 |
| ·典型的μ-PD感应式加热系统 | 第26-28页 |
| ·生长室系统 | 第28-30页 |
| ·下拉系统控制单元 | 第30-31页 |
| ·方向位置系统控制单元 | 第31-33页 |
| 第4章 Bi_4(Ge_(1-x)Si_x)_3O_(12)单晶生长及表征 | 第33-45页 |
| ·原料制备 | 第33-34页 |
| ·实验原理 | 第33页 |
| ·实验原料和设备仪器 | 第33-34页 |
| ·实验过程 | 第34页 |
| ·晶体生长 | 第34-42页 |
| ·Bi_4(Ge_(1-x)Si_x)_3O_(12)(x=0.15)的晶体生长 | 第35-36页 |
| ·Bi_4(Gel_(1-x)Si_x)_3O_(12)(x=0.1)的晶体生长 | 第36-39页 |
| ·Bi_4(Ge_(1-x)Si_x)_3O_(12)(x=0.05)的晶体生长 | 第39-40页 |
| ·Bi_4(Ge_(1-x)Si_x)_3O_(12)(x=0)的晶体生长 | 第40-42页 |
| ·Bi_4(Ge_(1-x)Si_x)_3O_(12)单晶表征 | 第42-45页 |
| ·XRD测试与晶胞参数 | 第42-43页 |
| ·光谱特性 | 第43-45页 |
| 第5章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读学位期间所开展的科研项目和发表的学术论文 | 第49页 |
