基于研究立方氮化硼单晶合成的触媒结构表征
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·hBN和cBN的电子结构 | 第11-13页 |
| ·cBN单晶的性能特点及应用 | 第13-14页 |
| ·cBN单晶的合成方法 | 第14-15页 |
| ·静态高温高压法下cBN单晶转变机理研究概况 | 第15-17页 |
| ·高温高压合成后的触媒层表征现状 | 第17-19页 |
| ·本文的主要研究内容及研究目的 | 第19-21页 |
| 第二章 实验材料和实验方法 | 第21-28页 |
| ·静态高温高压法cBN单晶合成实验 | 第21-24页 |
| ·cBN单晶触媒层的组织形貌表征 | 第24页 |
| ·cBN单晶触媒层的物相结构表征 | 第24-25页 |
| ·cBN单晶触媒层的电子结构表征 | 第25-28页 |
| 第三章 合成块断口及cBN单晶触媒层形貌观察 | 第28-33页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·cBN单晶及合成块断口形貌的SEM观察 | 第28-30页 |
| ·cBN单晶触媒层的SEM观察 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 cBN单晶触媒层物相结构的分层表征及分析 | 第33-39页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·cBN单晶触媒层的XRD分层表征及分析 | 第33-36页 |
| ·cBN单晶触媒层的HRTEM表征及分析 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 cBN单晶触媒层电子结构的分层表征及分析 | 第39-54页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·cBN单晶触媒层的XPS表征及分析 | 第39-45页 |
| ·cBN单晶触媒层的AES表征及分析 | 第45-50页 |
| ·cBN单晶触媒层的EELS表征及分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 合成后的触媒层与cBN单晶转变机理的关系 | 第54-58页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·高温高压下cBN单晶的生长过程 | 第54-56页 |
| ·高温高压下B、N电子结构的转变过程 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第七章 结论及展望 | 第58-60页 |
| ·主要结论 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 后记 | 第66-67页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第67页 |
