| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·太阳能电池材料的发展情况 | 第8-10页 |
| ·半导体中的缺陷和形成能 | 第10-12页 |
| ·半导体掺杂极限定律 | 第12-13页 |
| ·半导体的光吸收 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 理论基础与研究方法 | 第16-30页 |
| ·量子力学中的近似方法 | 第16-20页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第16-17页 |
| ·微扰理论 | 第17页 |
| ·变分原理 | 第17-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第20-21页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第21-22页 |
| ·能带的计算方法 | 第22-27页 |
| ·Bloch 定理 | 第22-23页 |
| ·平面波方法 | 第23-24页 |
| ·紧束缚近似方法 | 第24-25页 |
| ·正交化平面波法 | 第25-26页 |
| ·赝势方法 | 第26-27页 |
| ·VASP 模拟计算软件包 | 第27-30页 |
| 第三章 氧掺杂对 SnSe2电子结构和光学性质的影响 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·计算方法 | 第30-31页 |
| ·数值结果和讨论 | 第31-38页 |
| ·SnSe_2的结构和电子性质 | 第31-33页 |
| ·合金 SnSe_(2(1-x))O_(2x)的结构和电子性质 | 第33-35页 |
| ·合金 SnSe_(2(1-x))O_(2x)的光学性质 | 第35-38页 |
| ·本章总结 | 第38-40页 |
| 第四章 钛掺杂对 SnS_2电子结构和光学性质的影响 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·计算方法 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-48页 |
| ·纯 SnS_2的结构和电子性质 | 第41-42页 |
| ·Sn_(1-x)TixS_2三元合金的结构和电子特性 | 第42-45页 |
| ·三元合金 Sn_(1-x)TixS_2的光学性质 | 第45-48页 |
| ·本章总结 | 第48-50页 |
| 第五章 SnX_2(X=S and Se)纳米薄层的带结构和光学性质 | 第50-60页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·计算方法 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-57页 |
| ·体材料 SnX_2的结构参数和电子结构 | 第51-53页 |
| ·SnX_2纳米薄层的电子结构 | 第53-56页 |
| ·体材料、单层和双层 SnX_2的光学性质 | 第56-57页 |
| ·本章结论 | 第57-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第70-71页 |
