| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-21页 |
| ·热电效应 | 第10-15页 |
| ·塞贝克效应(Seebeck effect) | 第10-12页 |
| ·帕尔贴效应(Peltier effect) | 第12页 |
| ·汤姆逊效应(Thomson effect) | 第12-15页 |
| ·热电材料 | 第15-19页 |
| ·硫化物热电材料 | 第15-16页 |
| ·方钴矿(Skutterudites)型化合物 | 第16-17页 |
| ·笼形化合物 | 第17页 |
| ·Half-Heusler金属间化合物 | 第17-18页 |
| ·金属氧化物 | 第18页 |
| ·低维热电材料 | 第18-19页 |
| ·论文主要研究工作 | 第19-21页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第21-31页 |
| ·密度泛函理论(DFT)基础 | 第21-25页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第21-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-25页 |
| ·交换相关泛函 | 第25-27页 |
| ·局域密度近似LDA | 第25页 |
| ·广义梯度近似GGA | 第25-27页 |
| ·Boltzmann输运理论简述 | 第27-31页 |
| 第三章 Bi_2Te_3电子结构和热电性能的理论研究 | 第31-47页 |
| ·计算方法与模型 | 第31-32页 |
| ·计算结果与讨论 | 第32-45页 |
| ·构型优化结果 | 第32-33页 |
| ·电子结构 | 第33-39页 |
| ·Bi_2Te_3的热电性质 | 第39-40页 |
| ·加压情况下Bi_2Te_3的电子结构和热电性质 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 Bi_2Te_3掺杂体系电子结构的理论研究 | 第47-61页 |
| ·计算方法与模型 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-59页 |
| ·Bi_2Te_3材料的晶体结构 | 第47-48页 |
| ·掺杂能的计算 | 第48-49页 |
| ·Sb掺杂体系的电子结构 | 第49-55页 |
| ·Se掺杂体系的电子结构 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 AgGaX_2(X=S,Se,Te)晶体的电子结构、力学性质和热电性能的理论研究 | 第61-79页 |
| ·计算方法与模型 | 第61-63页 |
| ·计算结果与讨论 | 第63-77页 |
| ·构型优化结果 | 第63-64页 |
| ·电子结构 | 第64-68页 |
| ·弹性性质和热力学性质 | 第68-73页 |
| ·AgGaX_2体系的热电性能 | 第73-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第六章 总结 | 第79-81页 |
| ·Bi_2Te_3原胞结构 | 第79页 |
| ·Bi_2Te_3超单胞 | 第79-80页 |
| ·AgGaX_2体系 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 在学期间已发表和录用的学术论文 | 第89-90页 |
| 个人简历 | 第90页 |
