| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·信息功能陶瓷材料 | 第11-12页 |
| ·片式多层陶瓷电容器概述 | 第12-19页 |
| ·片式多层陶瓷电容器(MLCC)的发展概况 | 第12-15页 |
| ·片式多层陶瓷电容器(MLCC)的结构与原理 | 第15-16页 |
| ·片式多层陶瓷电容器(MLCC)的分类与应用 | 第16-18页 |
| ·片式多层陶瓷电容器(MLCC)的失效机理及模式分析 | 第18-19页 |
| ·低温共烧陶瓷技术概述 | 第19-24页 |
| ·低温共烧陶瓷技术工艺流程 | 第21-23页 |
| ·低温共烧陶瓷技术的特点 | 第23页 |
| ·低温烧结的主要实现方法 | 第23-24页 |
| ·课题的研究内容和目的 | 第24-31页 |
| ·课题国内外的研究情况 | 第24-29页 |
| ·本文创新点 | 第29-31页 |
| 第二章 BaTiO_3的微观结构与改性机理 | 第31-44页 |
| ·BaTiO_3微观结构 | 第31-35页 |
| ·BaTiO_3的晶体结构 | 第31-33页 |
| ·钛酸钡晶体的铁电畴 | 第33-35页 |
| ·BaTiO_3陶瓷的介电性能 | 第35-36页 |
| ·钛酸钡的"核-壳"结构 | 第36-38页 |
| ·钛酸钡陶瓷的改性机理 | 第38-44页 |
| ·细晶理论 | 第38-39页 |
| ·移动效应 | 第39页 |
| ·相变扩散效应 | 第39-41页 |
| ·展宽效应 | 第41-42页 |
| ·掺杂离子改性效应 | 第42-44页 |
| 第三章 实验过程及测试方法 | 第44-52页 |
| ·实验工艺流程 | 第44-48页 |
| ·烧结助剂的制备 | 第44页 |
| ·样品制备过程 | 第44-48页 |
| ·样品测试与微观分析 | 第48-52页 |
| ·测试与分析仪器 | 第48页 |
| ·密度和收缩率测试 | 第48-49页 |
| ·介电性能测试 | 第49-50页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第50-51页 |
| ·表面形貌分析 | 第51页 |
| ·粒度分析 | 第51页 |
| ·多层结构分析 | 第51-52页 |
| 第四章 低温烧结 X7R 陶瓷介质介电性能研究及机理分析 | 第52-65页 |
| ·ZnO-B_2O_3玻璃对 X7R 陶瓷的影响 | 第52-57页 |
| ·球磨时间对 X7R 陶瓷介质材料性能的影响 | 第57-61页 |
| ·一种具有正温度特性的陶瓷介质材料的探索 | 第61-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 低温烧结 X8R 陶瓷材料介电性能研究及机理分析 | 第65-99页 |
| ·掺杂稀土元素对 X8R 陶瓷的影响及机理 | 第65-74页 |
| ·Ho_2O_3掺杂改性机理 | 第65-69页 |
| ·Er_2O_3掺杂改性机理 | 第69-74页 |
| ·掺杂 MnCO_3对 X8R 陶瓷材料的影响及机理 | 第74-79页 |
| ·掺杂 Bi_2O_3对 X8R 陶瓷材料的影响及机理 | 第79-85页 |
| ·制备工艺对 X8R 陶瓷的影响及机理 | 第85-94页 |
| ·预烧温度对 X8R 陶瓷材料的影响 | 第85-87页 |
| ·烧结温度对 X8R 陶瓷材料的影响 | 第87-91页 |
| ·保温时间对 X8R 陶瓷材料的影响 | 第91-94页 |
| ·X8R 陶瓷的偏压特性 | 第94-97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第六章 低温烧结 X9R 陶瓷材料介电性能研究及机理分析 | 第99-123页 |
| ·一种正温度梯度的材料机理研究 | 第99-112页 |
| ·BiXNa1-XTiO_3材料性能研究 | 第99-101页 |
| ·xBaTiO_3-Bi0.5Na0.5TiO_3材料性能研究 | 第101-107页 |
| ·9BaTiO_3-(BixNa1-x)TiO_3材料性能研究 | 第107-112页 |
| ·掺杂 Nb_2O_5改性机理 | 第112-116页 |
| ·烧结温度对 X9R 陶瓷性能的影响 | 第116-118页 |
| ·一种高热稳定性陶瓷（230℃）材料介电性能研究 | 第118-121页 |
| ·小结 | 第121-123页 |
| 第七章 总结 | 第123-127页 |
| ·全文总结 | 第123-125页 |
| ·本文主要创新点 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-137页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138页 |
