| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-20页 |
| ·稀磁半导体概述 | 第8-13页 |
| ·稀磁半导体的研究历史 | 第9-12页 |
| ·d~0磁性半导体的研究现状 | 第12-13页 |
| ·In_2O_3基磁性半导体的研究现状 | 第13-18页 |
| ·In_2O_3材料简介 | 第13-15页 |
| ·In_2O_3基磁性半导体材料研究现状 | 第15-18页 |
| ·存在的问题及本论文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 样品的制备和性能表征 | 第20-30页 |
| ·样品的制备 | 第20-22页 |
| ·磁控溅射原理 | 第20-21页 |
| ·样品的制备 | 第21-22页 |
| ·In_2O_3薄膜的性能表征 | 第22-30页 |
| ·表面形貌测试仪(台阶仪) | 第22-23页 |
| ·扫描电子显微镜 (SEM) | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射仪 (XRD) | 第24页 |
| ·紫外-可见-近红外分光光度计 | 第24-25页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第25-27页 |
| ·物理性能测试系统（PPMS） | 第27-28页 |
| ·磁学测量系统（MPMS） | 第28-30页 |
| 第三章 纯 In_2O_3薄膜的制备与特性研究 | 第30-44页 |
| ·纯 In_2O_3薄膜中的 d0铁磁性及 p 型导电 | 第30-36页 |
| ·结构表征 | 第30-31页 |
| ·In_2O_3薄膜的电学和光学性质 | 第31-34页 |
| ·In_2O_3薄膜的磁学性质及磁性起源 | 第34-36页 |
| ·真空退火对 In_2O_3薄膜结构、成分及铁磁性的影响 | 第36-43页 |
| ·制备态 In_2O_3薄膜的表面形貌 | 第36-37页 |
| ·结构表征 | 第37-38页 |
| ·XPS 成分分析 | 第38-40页 |
| ·In_2O_3薄膜的磁性分析及磁性起源 | 第40-43页 |
| ·本章总结 | 第43-44页 |
| 第四章 N 掺杂 In_2O_3薄膜的制备与性能 | 第44-59页 |
| ·磁控溅射法制备的 N 掺杂 In_2O_3薄膜 | 第44-51页 |
| ·N-In_2O_3薄膜的结构表征和成分分析 | 第44-48页 |
| ·N-In_2O_3薄膜的光学性质和磁性分析 | 第48-51页 |
| ·热氧化 InN 薄膜制备的 N 掺杂 In_2O_3薄膜 | 第51-56页 |
| ·InN 薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·热氧化法制备的 In_2O_3薄膜的结构表征 | 第52-55页 |
| ·热氧化温度对薄膜结构的影响 | 第52-53页 |
| ·热氧化时间对薄膜结构的影响 | 第53-55页 |
| ·热氧化法制备的 In_2O_3薄膜的铁磁特性 | 第55-56页 |
| ·热氧化温度对薄膜磁性的影响 | 第55页 |
| ·热氧化时间对薄膜磁性的影响 | 第55-56页 |
| ·N 掺杂 In_2O_3薄膜的磁性起源 | 第56-58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 硕士在读期间已发表和已完成的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
