| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·薄膜晶体管在显示中的应用 | 第14-17页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管 | 第15页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管 | 第15页 |
| ·有机薄膜晶体管 | 第15-16页 |
| ·氧化物薄膜晶体管 | 第16-17页 |
| ·基于金属氧化物薄膜晶体管的新型显示技术发展趋势 | 第17-21页 |
| ·平板显示技术 | 第17-18页 |
| ·柔性显示技术 | 第18-19页 |
| ·透明显示技术 | 第19-20页 |
| ·系统集成技术 | 第20-21页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管存在的问题 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 氧化物薄膜晶体管的材料、原理、结构和制备工艺 | 第24-34页 |
| ·金属氧化物半导体材料 | 第24-25页 |
| ·金属氧化物半导体的物理原理 | 第25-27页 |
| ·高迁移率本质 | 第25-26页 |
| ·载流子输运机制 | 第26页 |
| ·氧空位态 | 第26-27页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管的基本原理 | 第27-29页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管的器件结构 | 第27-28页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管的工作机理 | 第28-29页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺 | 第29-30页 |
| ·常规制备工艺 | 第29-30页 |
| ·溶液处理和印刷工艺 | 第30页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管主要器件参数 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于阳极氧化 Al_2O_3的金属氧化物薄膜晶体管 | 第34-66页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·Al 及 Al 合金薄膜的阳极氧化 | 第35-51页 |
| ·阳极氧化的基本原理 | 第35页 |
| ·Al_2O_3薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·阳极氧化条件对 Al_2O_3性能的影响 | 第38-51页 |
| ·基于阳极氧化 Al_2O_3栅绝缘层的金属氧化物薄膜晶体管的研制 | 第51-56页 |
| ·器件的制备 | 第52-53页 |
| ·器件的性能 | 第53-55页 |
| ·结果分析 | 第55-56页 |
| ·稀土元素对金属氧化物薄膜晶体管性能的影响 | 第56-65页 |
| ·引入稀土元素的优势 | 第56页 |
| ·器件的制备 | 第56-57页 |
| ·结果及讨论 | 第57-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 埋入式 Al 栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管 | 第66-80页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·厚度对纯 Al 薄膜的影响 | 第66-70页 |
| ·厚度对线电阻的影响 | 第66-67页 |
| ·厚度对热稳定性的影响 | 第67-69页 |
| ·厚度对表面粗糙度的影响 | 第69-70页 |
| ·埋入式 Al 栅极结构的几个关键因素 | 第70-75页 |
| ·埋入材料的选择 | 第70页 |
| ·超厚纯 Al 薄膜的图形化 | 第70-71页 |
| ·曝光剂量对埋入结构的影响 | 第71-72页 |
| ·热处理对埋入结构的影响 | 第72-74页 |
| ·绝缘层的覆盖性 | 第74-75页 |
| ·埋入式结构薄膜晶体管的制备与性能研究 | 第75-79页 |
| ·器件的制备 | 第75-76页 |
| ·器件的性能 | 第76-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 背沟道刻蚀型金属氧化物薄膜晶体管 | 第80-104页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·背沟道刻蚀残留对金属氧化物薄膜晶体管性能的影响 | 第81-91页 |
| ·器件的制备 | 第81-82页 |
| ·器件的磁滞现象 | 第82-85页 |
| ·磁滞现象与背沟道刻蚀残留 | 第85-86页 |
| ·背沟道刻蚀残留的成分 | 第86-89页 |
| ·模型分析 | 第89-90页 |
| ·器件的稳定性 | 第90-91页 |
| ·背沟道 Plasma 处理对金属氧化物薄膜晶体管性能的影响 | 第91-99页 |
| ·器件的制备 | 第92页 |
| ·Plasma 气氛的影响 | 第92-93页 |
| ·Plasma 压强的影响 | 第93-94页 |
| ·Plasma 时间的影响 | 第94-98页 |
| ·器件的稳定性 | 第98-99页 |
| ·金属氧化物薄膜晶体管存储器件 | 第99-103页 |
| ·存储器件介绍 | 第99-101页 |
| ·制备方法 | 第101页 |
| ·存储性能 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 第六章 基于 C 纳米薄膜缓冲层的金属氧化物薄膜晶体管 | 第104-117页 |
| ·引言 | 第104页 |
| ·缓冲层 | 第104-108页 |
| ·缓冲层材料的选择 | 第104-105页 |
| ·C 纳米薄膜的基本性质 | 第105-107页 |
| ·C 纳米薄膜的抗腐蚀能力 | 第107-108页 |
| ·基于 C 缓冲层的金属氧化物薄膜晶体管的研究 | 第108-114页 |
| ·器件的制备 | 第108-109页 |
| ·器件的性能 | 第109-110页 |
| ·结果分析 | 第110-113页 |
| ·器件的稳定性 | 第113-114页 |
| ·相对于传统结构薄膜晶体管的优势 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第七章 新型驱动背板工艺开发及其显示屏制作 | 第117-131页 |
| ·引言 | 第117页 |
| ·显示屏基本结构 | 第117-118页 |
| ·驱动背板工艺路线 | 第118-122页 |
| ·传统工艺路线 | 第118-119页 |
| ·六次光刻工艺开发 | 第119-121页 |
| ·五次光刻工艺开发 | 第121-122页 |
| ·版图设计 | 第122页 |
| ·背板制备过程中的关键工艺 | 第122-128页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第122-124页 |
| ·光刻相关工艺 | 第124-125页 |
| ·刻蚀工艺 | 第125-128页 |
| ·AMOLED 显示屏的效果 | 第128-130页 |
| ·单色显示屏 | 第128-129页 |
| ·彩色显示屏 | 第129页 |
| ·透明显示屏 | 第129-130页 |
| ·柔性显示屏 | 第130页 |
| ·本章小结 | 第130-131页 |
| 结论 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-149页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第149-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
| 附件 | 第154页 |
