| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·半导体光催化的原理 | 第10-11页 |
| ·影响光催化活性的内因 | 第11-14页 |
| ·半导体的能带位置 | 第11-12页 |
| ·光生电子和空穴的分离与捕获 | 第12-13页 |
| ·晶体结构 | 第13页 |
| ·晶格缺陷 | 第13页 |
| ·比表面积 | 第13页 |
| ·半导体粒径尺寸 | 第13-14页 |
| ·可见光催化剂 | 第14-15页 |
| ·TiO_2改性光催化剂 | 第14页 |
| ·铋系光催化剂 | 第14-15页 |
| ·新型催化剂石墨相氮化碳 | 第15页 |
| ·可见光催化剂的改性 | 第15-18页 |
| ·非金属掺杂 | 第15-16页 |
| ·贵金属沉积 | 第16-17页 |
| ·光敏化 | 第17页 |
| ·半导体复合 | 第17-18页 |
| ·不同形貌催化剂的制备方法 | 第18-20页 |
| ·溶剂热法 | 第18-19页 |
| ·软模板法 | 第19页 |
| ·硬模板法 | 第19-20页 |
| ·其他方法 | 第20页 |
| ·本课题研究的内容 | 第20-22页 |
| 2 实验部分 | 第22-28页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第22-23页 |
| ·实验方法 | 第23页 |
| ·介孔石墨相氮化碳的制备 | 第23页 |
| ·载钴介孔石墨相氮化碳的制备 | 第23页 |
| ·表征方法 | 第23-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第23页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM) | 第23页 |
| ·N_2吸附-脱附 | 第23页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第23-24页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FT-IR) | 第24页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱(UV-VIS DRS) | 第24页 |
| ·元素分析仪 | 第24页 |
| ·光电化学测试 | 第24-25页 |
| ·催化剂的光催化性能分析 | 第25-27页 |
| ·光催化反应实验流程及装置 | 第25页 |
| ·目标污染物的选取及分析方法 | 第25-27页 |
| ·光催化反应动力学的确定 | 第27页 |
| ·回收重复利用性能测试方法 | 第27-28页 |
| 3 载钻mpg-C_3N_4的制备及表征 | 第28-39页 |
| ·载钻mpg-C_3N_4的制备 | 第28-29页 |
| ·mpg-C_3N_4的制备 | 第28-29页 |
| ·载钴mpg-C_3N_4的制备 | 第29页 |
| ·结构表征 | 第29-31页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第29-30页 |
| ·傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第30-31页 |
| ·形貌表征 | 第31-34页 |
| ·透射电镜分析(HRTEM) | 第31-32页 |
| ·N_2吸附-脱附分析 | 第32-34页 |
| ·元素分析 | 第34-35页 |
| ·X射线能谱分析(XPS) | 第35-36页 |
| ·光吸收及光电化学性能分析 | 第36-38页 |
| ·紫外漫反射光谱(UV-VIS DRS) | 第36-37页 |
| ·光电化学测试 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 载钴mpg-C3_N_4光催化性能研究 | 第39-55页 |
| ·载钴mpg-C_3N_4光催化降解MB性能分析 | 第39-48页 |
| ·不同钻负载量对MB光催化降解的影响 | 第39-41页 |
| ·焙烧温度对光催化降解MB的影响 | 第41-44页 |
| ·催化剂的重复使用对光催化降解MB的影响 | 第44-45页 |
| ·降解MB机理的初探 | 第45-48页 |
| ·载钴mpg-C_3N_4光催化降解BPA性能分析 | 第48-54页 |
| ·不同钴负载量对BPA光催化降解的影响 | 第48-49页 |
| ·mpg-C3_N_4和载钴mpg-C3_N_4的光催化活性对比 | 第49-51页 |
| ·溶液初始pH值对BPA光催化降解的影响 | 第51-53页 |
| ·TOC分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结论与建议 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·建议 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 附录 | 第66页 |