摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-13页 |
·课题研究背景及意义 | 第8-10页 |
·半导体辐射探测器简介 | 第8-9页 |
·半导体辐射探测器的分类 | 第9-10页 |
·半导体辐射探测器的应用领域 | 第10页 |
·硅基半导体辐射探测器的发展现状 | 第10-11页 |
·国际上硅基探测器的发展趋势 | 第10-11页 |
·国内硅基探测器的科技水平与发展现状 | 第11页 |
·论文研究内容以及章节安排 | 第11-12页 |
·本章小结 | 第12-13页 |
第二章 半导体探测器的原理和结构 | 第13-18页 |
·半导体辐射探测器工作原理 | 第13-14页 |
·半导体PN结基本原理 | 第13页 |
·反偏压探测器的工作原理 | 第13-14页 |
·位置灵敏探测器的工作原理 | 第14页 |
·硅基探测器电学参数指标与改进方案 | 第14-15页 |
·硅基探测器的击穿现象与保护 | 第15-17页 |
·击穿原理 | 第15页 |
·改进探测器击穿电压的手段 | 第15-17页 |
·本章小结 | 第17-18页 |
第三章 击穿电压与漏电流的模拟分析 | 第18-27页 |
·Sentaurus TCAD器件模拟的相关研究 | 第18-19页 |
·仿真流程 | 第18页 |
·网格文件与命令文件 | 第18-19页 |
·模拟要注意的问题 | 第19页 |
·二极管辐射探测器的间距模拟 | 第19-21页 |
·仿真结构 | 第19-20页 |
·击穿电压结果与分析 | 第20-21页 |
·条形探测器的间距模拟 | 第21-24页 |
·仿真结构 | 第21-22页 |
·击穿电压结果与分析 | 第22-23页 |
·漏电流结果与分析 | 第23-24页 |
·界面电荷对探测器性能的结果与分析 | 第24-26页 |
·界面电荷密度对击穿电压的影响 | 第24-25页 |
·界面电荷密度对漏电流的影响 | 第25-26页 |
·本章小结 | 第26-27页 |
第四章 实验验证击穿电压的结果,探讨拐角曲率的影响 | 第27-35页 |
·耐压器件结构版图设计 | 第27-28页 |
·硅半导体刻蚀工艺的探讨 | 第28-30页 |
·硅湿法刻蚀操作简介 | 第28页 |
·刻蚀液温度对刻蚀速率和反应后表面粗糙度的影响 | 第28-29页 |
·刻蚀液浓度对刻蚀速率和反应后表面粗糙度的影响 | 第29-30页 |
·黑点和裂纹效应 | 第30页 |
·测试数据分析 | 第30-33页 |
·测试设备 | 第30-31页 |
·圆形结构保护环距离变化 | 第31-32页 |
·方形结构拐角曲率的变化 | 第32-33页 |
·主探测器击穿电压的数据分析 | 第33-34页 |
·本章小结 | 第34-35页 |
第五章 硅基探测器输出信号分析 | 第35-47页 |
·探测器输出信号与噪声分析 | 第35-37页 |
·探测器的噪声源 | 第35页 |
·探测器应用电路的噪声源 | 第35-37页 |
·电荷灵敏前置放大器 | 第37-44页 |
·电荷灵敏放大器的基本介绍 | 第37页 |
·电子设计自动化软件Multisim | 第37-38页 |
·电荷灵敏放大器模块介绍 | 第38-41页 |
·电荷灵敏放大器的仿真结果 | 第41-44页 |
·带通滤波电路 | 第44-46页 |
·滤波电路的分类 | 第44页 |
·用作探测器滤波的带通滤波电路设计及效果简析 | 第44-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第六章 硅基探测器的稳定性分析 | 第47-57页 |
·电学稳定性分析 | 第47-50页 |
·电迁移现象的条件与改善 | 第47-48页 |
·硅基探测器的电迁移现象判断 | 第48页 |
·电迁移现象对硅基探测器其它影响 | 第48-49页 |
·铝膜的生存时间 | 第49-50页 |
·动力学系统分析 | 第50-56页 |
·硅基探测器结构力学分析简介 | 第50页 |
·材料的安全裕度 | 第50-51页 |
·硅基探测器在准静态环境中的安全裕度分析 | 第51-53页 |
·硅基探测器的共振频率和模态 | 第53-54页 |
·硅基探测器在时变载荷作用下的谐响应分析 | 第54-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第七章 论文总结和展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-62页 |
申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第62-63页 |
致谢 | 第63页 |