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硅探测器及前置放大器的设计

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-13页
   ·课题研究背景及意义第8-10页
     ·半导体辐射探测器简介第8-9页
     ·半导体辐射探测器的分类第9-10页
     ·半导体辐射探测器的应用领域第10页
   ·硅基半导体辐射探测器的发展现状第10-11页
     ·国际上硅基探测器的发展趋势第10-11页
     ·国内硅基探测器的科技水平与发展现状第11页
   ·论文研究内容以及章节安排第11-12页
   ·本章小结第12-13页
第二章 半导体探测器的原理和结构第13-18页
   ·半导体辐射探测器工作原理第13-14页
     ·半导体PN结基本原理第13页
     ·反偏压探测器的工作原理第13-14页
     ·位置灵敏探测器的工作原理第14页
   ·硅基探测器电学参数指标与改进方案第14-15页
   ·硅基探测器的击穿现象与保护第15-17页
     ·击穿原理第15页
     ·改进探测器击穿电压的手段第15-17页
   ·本章小结第17-18页
第三章 击穿电压与漏电流的模拟分析第18-27页
   ·Sentaurus TCAD器件模拟的相关研究第18-19页
     ·仿真流程第18页
     ·网格文件与命令文件第18-19页
     ·模拟要注意的问题第19页
   ·二极管辐射探测器的间距模拟第19-21页
     ·仿真结构第19-20页
     ·击穿电压结果与分析第20-21页
   ·条形探测器的间距模拟第21-24页
     ·仿真结构第21-22页
     ·击穿电压结果与分析第22-23页
     ·漏电流结果与分析第23-24页
   ·界面电荷对探测器性能的结果与分析第24-26页
     ·界面电荷密度对击穿电压的影响第24-25页
     ·界面电荷密度对漏电流的影响第25-26页
   ·本章小结第26-27页
第四章 实验验证击穿电压的结果,探讨拐角曲率的影响第27-35页
   ·耐压器件结构版图设计第27-28页
   ·硅半导体刻蚀工艺的探讨第28-30页
     ·硅湿法刻蚀操作简介第28页
     ·刻蚀液温度对刻蚀速率和反应后表面粗糙度的影响第28-29页
     ·刻蚀液浓度对刻蚀速率和反应后表面粗糙度的影响第29-30页
     ·黑点和裂纹效应第30页
   ·测试数据分析第30-33页
     ·测试设备第30-31页
     ·圆形结构保护环距离变化第31-32页
     ·方形结构拐角曲率的变化第32-33页
   ·主探测器击穿电压的数据分析第33-34页
   ·本章小结第34-35页
第五章 硅基探测器输出信号分析第35-47页
   ·探测器输出信号与噪声分析第35-37页
     ·探测器的噪声源第35页
     ·探测器应用电路的噪声源第35-37页
   ·电荷灵敏前置放大器第37-44页
     ·电荷灵敏放大器的基本介绍第37页
     ·电子设计自动化软件Multisim第37-38页
     ·电荷灵敏放大器模块介绍第38-41页
     ·电荷灵敏放大器的仿真结果第41-44页
   ·带通滤波电路第44-46页
     ·滤波电路的分类第44页
     ·用作探测器滤波的带通滤波电路设计及效果简析第44-46页
   ·本章小结第46-47页
第六章 硅基探测器的稳定性分析第47-57页
   ·电学稳定性分析第47-50页
     ·电迁移现象的条件与改善第47-48页
     ·硅基探测器的电迁移现象判断第48页
     ·电迁移现象对硅基探测器其它影响第48-49页
     ·铝膜的生存时间第49-50页
   ·动力学系统分析第50-56页
     ·硅基探测器结构力学分析简介第50页
     ·材料的安全裕度第50-51页
     ·硅基探测器在准静态环境中的安全裕度分析第51-53页
     ·硅基探测器的共振频率和模态第53-54页
     ·硅基探测器在时变载荷作用下的谐响应分析第54-56页
   ·本章小结第56-57页
第七章 论文总结和展望第57-58页
参考文献第58-62页
申请学位期间的研究成果及发表的学术论文第62-63页
致谢第63页

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