| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·多晶硅薄膜研究概况 | 第10-16页 |
| ·晶体硅的结构与性质 | 第10页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点 | 第10-12页 |
| ·多晶硅薄膜的光电性能 | 第12-14页 |
| ·多晶硅薄膜的主要应用 | 第14-16页 |
| ·多晶硅薄膜制备方法 | 第16-22页 |
| ·物理气相沉积法(PVD) | 第16-17页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第17-20页 |
| ·液相外延法(LPE) | 第20-21页 |
| ·固相晶化法(SPC) | 第21页 |
| ·准分子激光晶化法(ELC) | 第21页 |
| ·金属诱导晶化法(MIC) | 第21-22页 |
| ·本课题意义与研究内容 | 第22-23页 |
| ·题依据及意义 | 第22页 |
| ·研究内容及创新点 | 第22-23页 |
| 本研究工作得到以下基金资助 | 第23-24页 |
| 第2章 多晶硅薄膜的制备与表征 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验材料与仪器 | 第24-25页 |
| ·实验材料 | 第24-25页 |
| ·实验仪器 | 第25页 |
| ·实验装置与制备过程 | 第25-29页 |
| ·实验装置 | 第25-27页 |
| ·薄膜制备过程 | 第27-29页 |
| ·薄膜性能测试与表征 | 第29-33页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第29页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR) | 第29-30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31页 |
| ·紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第31-32页 |
| ·四探针法电阻测定 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 APCVD法多晶硅薄膜的制备工艺 | 第34-52页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·沉积温度对APCVD法多晶硅薄膜制备的影响 | 第34-39页 |
| ·晶型结构的影响 | 第34-36页 |
| ·晶相生长的影响 | 第36-39页 |
| ·反应时间对APCVD法多晶硅薄膜制备的影响 | 第39-42页 |
| ·晶型结构的影响 | 第39-41页 |
| ·晶相生长的影响 | 第41-42页 |
| ·SiH_4浓度对APCVD法多晶硅薄膜制备的影响 | 第42-45页 |
| ·晶型结构的影响 | 第42-44页 |
| ·晶相生长的影响 | 第44-45页 |
| ·衬底材料对APCVD法多晶硅薄膜制备的影响 | 第45-48页 |
| ·晶型结构的影响 | 第45-47页 |
| ·晶相生长的影响 | 第47-48页 |
| ·SiH_4分解生成Si的热力学分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 沉积条件对多晶硅薄膜的性能影响 | 第52-63页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·光学性能分析 | 第52-60页 |
| ·沉积温度对薄膜光学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·反应时间对薄膜光学性能的影响 | 第54-56页 |
| ·SiH_4浓度对薄膜光学性能的影响 | 第56-58页 |
| ·衬底材料对薄膜光学性能的影响 | 第58-60页 |
| ·电学性能分析 | 第60-62页 |
| ·电学性能的表征原理 | 第60-61页 |
| ·不同沉积条件下的电学性能研究 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 结论与展望 | 第63-65页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·研究展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70页 |