| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| ·金刚石的结构 | 第10-11页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第10页 |
| ·金刚石的晶体形态 | 第10-11页 |
| ·金刚石的性质及用途 | 第11-19页 |
| ·力学性质 | 第11-12页 |
| ·光学性质 | 第12-13页 |
| ·化学性质 | 第13-14页 |
| ·电学性质 | 第14-15页 |
| ·金刚石场发射性能及应用 | 第15-19页 |
| ·金刚石膜中残余应力的影响及检测方法 | 第19-22页 |
| ·金刚石膜中残余应力及其影响 | 第19-20页 |
| ·薄膜应力分析检测方法 | 第20-22页 |
| ·金刚石薄膜研究现状 | 第22-23页 |
| ·掺硼金刚石薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| ·Mo(Re)基体上沉积金刚石的研究 | 第24-25页 |
| ·改善金刚石薄膜质量的方法 | 第25-26页 |
| ·基体表面预处理 | 第25页 |
| ·影响形核生长的工艺参数 | 第25-26页 |
| ·本文的研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验原理与过程 | 第27-39页 |
| ·HFCVD沉积金刚石薄膜原理 | 第27-29页 |
| ·HFCVD沉积原理 | 第27-28页 |
| ·实验设备 | 第28-29页 |
| ·掺杂薄膜导电机理 | 第29-30页 |
| ·实验过程 | 第30-33页 |
| ·实验材料 | 第30页 |
| ·CVD金刚石工艺参数 | 第30-32页 |
| ·试验流程图 | 第32-33页 |
| ·金刚石薄膜的表征方法 | 第33-39页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第33-34页 |
| ·Raman光谱分析 | 第34-35页 |
| ·X射线衍射分析 | 第35-36页 |
| ·四点探针电阻率分析 | 第36-39页 |
| 第三章 沉积基体温度及后处理工艺对金刚石薄膜的影响 | 第39-57页 |
| ·不同沉积基体温度对金刚石薄膜的影响 | 第39-49页 |
| ·沉积工艺参数 | 第39-40页 |
| ·Mo(Re)合金基体上金刚石薄膜物相分析 | 第40-43页 |
| ·不同沉积基体温度下金刚石薄膜的形貌分析 | 第43-44页 |
| ·不同沉积基体温度下金刚石薄膜质量的分析 | 第44-49页 |
| ·沉积后处理对金刚石薄膜的影响 | 第49-56页 |
| ·沉积后处理工艺参数 | 第49-50页 |
| ·沉积后处理对薄膜的形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·沉积后处理对薄膜的质量的影响 | 第51-55页 |
| ·沉积后处理对薄膜残余应力的影响 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 Mo(Re)合金箔材上BDD薄膜的沉积 | 第57-66页 |
| ·硼掺杂量对金刚石薄膜的影响 | 第57-60页 |
| ·沉积工艺参数 | 第57-58页 |
| ·硼掺杂量对金刚石薄膜形貌的影响 | 第58页 |
| ·硼掺杂量对金刚石薄膜质量的影响 | 第58-60页 |
| ·硼掺杂量对金刚石薄膜导电性能的影响 | 第60页 |
| ·沉积时间对硼掺杂金刚石薄膜的影响 | 第60-64页 |
| ·沉积工艺参数 | 第61页 |
| ·沉积时间对掺硼金刚石薄膜形貌的影响 | 第61-63页 |
| ·沉积时间对掺硼金刚石薄膜质量的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |