| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·氧化物 TFT 简介 | 第9-14页 |
| ·氧化物 TFT 的研究现状及应用前景 | 第10-11页 |
| ·氧化物 TFT 的原理与结构 | 第11-13页 |
| ·氧化物半导体材料的导电原理 | 第11-12页 |
| ·氧化物半导体 TFT 的器件结构 | 第12-13页 |
| ·氧化物半导体 TFT 的材料 | 第13-14页 |
| ·氧化物半导体 TFT 的几个重要性能参数 | 第14页 |
| ·密度泛函理论与计算方法 | 第14-19页 |
| ·薛定谔方程 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-18页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第17-18页 |
| ·交换-关联能泛函-局域密度近似方法(LDA) | 第18页 |
| ·VASP 软件介绍 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 InTaZnO-TFT 各层薄膜的制备方法 | 第20-24页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·InTaZnO 有源层及 Al、ITO 电极薄膜的制备-磁控溅射 | 第20-22页 |
| ·绝缘层氧化铝的制备-阳极氧化 | 第22-23页 |
| ·钝化层二氧化硅的制备-PECVD 方法 | 第23-24页 |
| 第三章 InTaZnO 薄膜 | 第24-31页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·制备 InTaZnO 半导体薄膜 | 第24页 |
| ·器件薄膜的厚度测试 | 第24-25页 |
| ·InTaZnO 薄膜与靶材的成分一致性 | 第25-26页 |
| ·InTaZnO 半导体薄膜电学性能测试 | 第26-28页 |
| ·退火温度对载流子浓度和迁移率的影响 | 第26-27页 |
| ·氧气含量对载流子浓度和迁移率的影响 | 第27-28页 |
| ·InTaZnO 半导体薄膜光学性能测试 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 InTaZnO 薄膜晶体管 | 第31-41页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·InTaZnO 薄膜晶体管的制备 | 第31-32页 |
| ·InTaZnO 薄膜晶体管的性能表征 | 第32-36页 |
| ·退火处理对器件性能影响 | 第32-33页 |
| ·有源层靶材成分对器件性能的影响 | 第33-35页 |
| ·有源层溅射气氛对器件性能的影响 | 第35-36页 |
| ·InTaZnO 薄膜晶体管的稳定性测试 | 第36-40页 |
| ·有源层溅射气氛对 PBS 结果的影响 | 第37-39页 |
| ·有源层厚度对 PBS 结果的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 ZnO 及其本征点缺陷的电子结构 | 第41-50页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第41-42页 |
| ·模型构建 | 第41页 |
| ·计算方法 | 第41-42页 |
| ·理想 ZnO 晶体的电子结构计算 | 第42-43页 |
| ·ZnO 中的本征点缺陷的电子结构计算 | 第43-48页 |
| ·锌间隙 Zni-ZnO 的电子结构 | 第43-44页 |
| ·锌空位 VZn-ZnO 的电子结构 | 第44-46页 |
| ·氧间隙 Oi-ZnO 的电子结构 | 第46-47页 |
| ·氧空位 VO-ZnO 的电子结构 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 In、Ta 掺杂 ZnO 的电子结构 | 第50-58页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·In 掺杂 ZnO 的电子结构 | 第50-54页 |
| ·计算方法 | 第50-51页 |
| ·In 掺杂到 ZnO 计算结果与讨论 | 第51-54页 |
| ·晶体结构 | 第51页 |
| ·能带结构和态密度 | 第51-54页 |
| ·Ta 掺杂 ZnO 的电子结构 | 第54-57页 |
| ·计算方法 | 第55页 |
| ·Ta 掺杂到 ZnO 计算结果与讨论 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 附件 | 第68页 |