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有机半导体二极管电学性质的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-19页
   ·有机高分子聚合物半导体二极管的发展及载流子迁移率的研究第10-14页
   ·有关有机高分子聚合物半导体器件电学特性的理论第14-17页
     ·肖特基效应第14-15页
     ·欧姆接触第15-16页
     ·有机半导体电学结构第16-17页
   ·本文主要工作第17页
   ·本论文的结构安排第17-19页
第二章 有机半导体器件电学特性第19-37页
   ·有机半导体器件的直流特性第19-26页
     ·有机半导体中的漂移和扩散第19-24页
     ·空间电荷限制电流理论第24-26页
   ·有机半导体交流特性第26-36页
     ·指数陷阱密度模型第27-29页
     ·指数陷阱密度有机层的稳态特征第29-30页
     ·指数陷阱密度有机层的阻抗响应第30-33页
     ·陷阱控制的传输模型第33-36页
   ·本章小结第36-37页
第三章 扩散效应对有机二极管电学特性的影响第37-53页
   ·漂移模型有机二极管电学性质的研究第37-39页
   ·漂移扩散理论模型第39-41页
   ·参数最优化与结果分析第41-52页
     ·参数最优化第41-42页
     ·平衡条件下有机层的电学特性第42-45页
     ·非平衡条件下有机层的电学特性第45-52页
   ·本章小结第52-53页
第四章 利用通用迁移率模型计算有机二极管的交流阻抗谱第53-61页
   ·当前有机半导体器件阻抗谱的研究第53-54页
   ·有机半导体二极管阻抗谱的理论推导第54-56页
   ·结果分析与讨论第56-58页
   ·本章小结第58-61页
第五章 结论第61-63页
   ·本文的主要贡献第61页
   ·下一步工作的展望第61-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-70页
攻硕期间取得的研究成果第70-71页

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