| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·太赫兹技术简介 | 第11-12页 |
| ·太赫兹辐射源和探测方法 | 第12-15页 |
| ·太赫兹波的一些重要物理性质 | 第15-16页 |
| ·太赫兹技术的应用 | 第16-18页 |
| ·本论文的主要内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 太赫兹量子级联激光器和非极化GaN材料的研究进展 | 第21-35页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·THz QCL的基本原理 | 第21-23页 |
| ·THz QCL研究进展 | 第23-25页 |
| ·THz QCL的有源区设计 | 第25-27页 |
| ·非极化GaN/AlGaN的研究进展 | 第27-30页 |
| ·Ⅲ族氮化物概述 | 第27-28页 |
| ·非极化GaN/AlGaN的研究进展 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第三章 量子阱结构设计理论模型 | 第35-53页 |
| ·量子阱中带间跃迁和子带跃迁 | 第35-36页 |
| ·量子阱结构子能级计算理论模型 | 第36-39页 |
| ·简化薛定谔方程 | 第37-38页 |
| ·有效质量模型 | 第38-39页 |
| ·有限差分法计算量子阱能级结构 | 第39-43页 |
| ·传输矩阵法计算量子阱能级结构 | 第43-49页 |
| ·不带电场下的量子阱结构采用传输矩阵方法 | 第43-46页 |
| ·加入电场情况下的传输矩阵法计算量子阱结构 | 第46-49页 |
| ·自洽法 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 非极化GaN/AlGaN材料量子阱有源区设计 | 第53-65页 |
| ·光泵浦太赫兹激光器 | 第54页 |
| ·能带工程 | 第54-61页 |
| ·非极化单量子阱情况 | 第55-56页 |
| ·双阱结构设计 | 第56-61页 |
| ·非极化GaN/AlGaN光泵浦太赫兹量子阱激光器有源区结构 | 第61-62页 |
| ·本章总结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 光泵浦量子阱激光器有源区性能模拟 | 第65-81页 |
| ·理论模型 | 第66-72页 |
| ·电子声子散射模型 | 第66-70页 |
| ·光泵浦电子速率计算 | 第70页 |
| ·激光器的速率模型(Rate equations) | 第70-72页 |
| ·理论模拟结果分析 | 第72-78页 |
| ·散射速率和能级寿命分析 | 第73-75页 |
| ·光泵浦非极化GaN/AlGaN材料量子阱激光器有源区性能分析 | 第75-78页 |
| ·本章总结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第六章 总结 | 第81-82页 |
| ·本文工作总结 | 第81页 |
| ·未来工作展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的奖励 | 第83页 |
